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Ionfab 300 IBE

イオンビームエッチングは、優れた均質性を持ちながら最大の柔軟性を有し、広範な用途分野に適しています。当社のシステムには、大気装入、単一基板真空予備室、そしてカセット交換方式を含む、柔軟なハードウェアのオプションがあります。システムの仕様は、用途に合わせて綿密に調整され、迅速かつ再現性のある結果を実現します。

  • 複数のモード機能

  • 他のプラズマエッチングやプラズマデポジションのツールとのクラスター化が可能

  • 単一ウェハー真空予備室またはクラスター方式ウェハー取り扱い

  • デュアルビーム配置

  • 薄膜表面粗さが非常に小さい

  • 他に類のない、バッチ均質性およびプロセス再現性

  • 正確なエンドポイント検知-SIMS、発光分析


お問い合わせ

  • 高品質薄膜 - 非常に少ない汚染
  • 小さな専有面積で高スループット - 低操業コスト
  • 白色光学モニター設計を装備した、高速基板ホルダー(最大500RPM)の特許技術 - 非常に正確な、その場光学薄膜制御が可能
  • 柔軟な配置 - 先端的な研究用途
  • 柔軟なウェハー取り扱い能力 - 取り扱い能力-大気装入、単一ウェハー真空予備室、カセット交換方式のロボット操作
  • 磁気メモリ (MRAM)
  • 絶縁膜
  • III-V 族半導体フォトニクス材料エッチング
  • スピントロニクス
  • メタルコンタクト
  • 超電導材料
  • レーザーファセットコーティング
  • 高反射材料 (HR)
  • 無反射材料 (AR)
  • リング レーザー ジャイロ ミラー
  • X 線オプティクス
  • 赤外線 (IR) センサ
  • II-VI 族ベース半導体
  • 通信用フィルター

Ion Beam Etching Modes

  • イオンビーム エッチング (IBE)
  • リアクティブイオンビーム エッチング (RIBE)
  • 化学アシスト型イオンビームエッチング (CAIBE)

Ionfab300 Standard Chamber

フレキシブルに行わなければならない研究やパイロット生産向けに設計されたコンパクトなイオンビームエッチングおよびデポジションシステムで、エッチングまたはデポジション用に最大2個(15cm)のイオンソースを装備しています。これにより、最大200mmウェハへのデポジションと、最大100mmウェハへのエッチングプロセスに最適です。

Ionfab300 Large Chamber

設置面積は基本的に同じですが、プロセスチャンバーが大きく、エッチングとデポジションの両方で最大200mmまでのウェハを処理できるように設計されています。30cmのエッチングイオンソースを装備したこのシステムは、優れたエッチング均一性と優れたプロセス安定性を提供し、パイロットおよびフルスケール生産に最適です。

Ionfab 300 のカタログは、こちら

グローバルな、お客様サポート

オックスフォード・インストゥルメンツは、総括的で柔軟な信頼できる、グローバルなお客様サポートをお約束しています。お客様のシステムが稼働している期間、高品質のサービスを提供します。

  • 遠隔診断ソフトウェアにより、迅速で簡便な欠陥診断と問題解決を実現します。
  • ご予算と状況に合わせた、サポート契約も用意しております。
  • 迅速な対応を実現するため、戦略拠点にグローバル予備品を揃えています。
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