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マイクロLEDは、新たなディスプレイ技術であり、技術的には大きな違いがあります。マイクロLEDディスプレイでは、低消費電力で高輝度、高コントラスト、高ダイナミックレンジを実現できます。これらのメリットにより、この技術はAR（拡張現実 Augmented Reality）やスマートウォッチ・ディスプレイなどのアプリケーションに非常に適しています。コンシューマー市場に求められる大量生産においては、マイクロLEDの製造プロセスの歩留まりとスループットを最適化する必要があります。
プラズマプロセスにおける長年にわたる経験により、オックスフォード・インストゥルメンツは赤色、青色、緑色LED向けのイノベーティブなソリューションを提供しています。ソリューションのポートフォリオには、GaNやInGaAlPのようなIII-V化合物半導体材料のプロセスや ALD による Al2O3 のデポジションプロセスが含まれます。オックスフォード・インストゥルメンツは、世界最先端の半導体企業や科学研究機関が、高効率で低コストのミニLEDやマイクロLEDを製造することをサポートしています。
プロセスフローの概略。オックスフォード・インストゥルメンツがカバーする技術をオレンジ色で示しています。
当社では、小型ダイサイズや ナローピッチのマイクロLED向けに、プラズマエッチングやデポジションをはじめとする、高い実績を持つ革新的なソリューションを提供しています。当社のソリューションには、ダイシングや電気的パッシベーション用絶縁体のALDなどのプロセスも含まれています。当社のパッシベーション膜はファインピッチ設計に最適で、ピクセル間のクロストークを最小限に抑え、外部量子効率を最大化しながら、信頼性の高いデバイス動作を実現します。
Fang 博士（Electronics and Optoelectronics System Research Laboratories 副所長）
「オックスフォード・インストゥルメンツのソリューション、優れたローカル・プロセス・サポート、そしてラボでの開発を産業界のパートナーとともに生産標準へと育てていく能力は、私たちの購入決定に大きな影響を与えました」
マイクロLEDの最適な輝度と効率を実現するために、オックスフォード・インストゥルメンツでは、緑色および青色のマイクロLED用の高品質GaN（窒化ガリウム）エッチングソリューションを、非常に高いプロセス再現性とともに提供しています。
高品質のGaNエッチングにより、マイクロLEDメーカーは高いデバイス効率が得られるようになります。当社のプラズマエッチングプロセスでは、GaNデバイスのクリーンで滑らかな側壁とベース表面形状の優れた表面品質を実現します。
ICPエッチングされたメサにより、高性能AlGaInPデバイス（赤色マイクロLED）に要求される極めて高い表面品質が達成されます。世界中の主要なマイクロLEDメーカーと協力し、マイクロLEDアプリケーション用のバックサイド・ビア、傾斜形状、および垂直メサ/アイソレーションのプロセス結果を提供するための専門知識が実績となっています。
ALE（原子層エッチング）は、高深度精度で低ダメージのエッチングが可能な先進技術です。従来のICPエッチングと組み合わせて、高性能なGaNメサエッチングや 低ダメージでのコンタクトパッド加工が可能です。
CAIBE（化学アシスト型イオンビームエッチング）もメサエッチングに使用することができます。CAIBEでは、側壁角度の優れた制御と高い選択性が実現します（ICPエッチングと比較した場合、エッチング速度は低下します）。IBE技術はまた、マイクロLED構造へのダメージを最小限または全く与えないようなメタル接点エッチングに理想的であることが確認されています。
側壁のパッシベーションは、マイクロLEDの製造において非常に重要なステップとなっています。最適な側壁品質を実現し、デバイス効率を最大化するためには、高品質の成膜が必要になります。原子層堆積法は、エッチングダメージの結果として生じてしまう非放射再結合を最小限に抑えるソリューションとして知られています。
当社システムから提供される高品質パッシベーション膜は、デバイスの光学性能を向上させる優れた界面制御のための表面前処理と、低ダメージ成膜のための低イオンエネルギープラズマソースを利用しています。当社のソリューション・ポートフォリオには、SiN、SiO2、AlN、HfO2、Al2O3を含むさまざまな材料に対する高度なプロセスが用意されています。Atomfabは、業界トップレベルのスループット、歩留まり、所有コストで高品質のPE-ALD膜を提供するために特別に設計されています。
絶縁体封止や電気接点蒸着にも高品質の材料が必要になります。当社のイオンビームデポジション技術は、マイクロLEDに最適な高純度、高密度、平滑な表面を実現します。
GaNのエッチングにより形成された平滑な表面
ALDによるSiO2デポジション - アイントフォーヘン工科大学のご厚意による
Cobraの均一なプラズマソースにより、マイクロLEDに使用されるGaNやAlGaInP層を含むIII-V族化合物半導体材料のプロセスに適した優れた制御が可能になります。当社のICPエッチングシステムは、歩留まりの最大化と低CoOのための高スループットで実績ある信頼性をお届けいたします。
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Atomfabにより、マイクロLEDメーカーは量産に向け高度な材料技術を活用することができるようになります。独自の新しいプラズマソースは、CoOの大幅な削減、歩留まりの向上、優れた膜質とデバイス性能を実現します。
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Ionfabにより優れた均一性と再現性が実現します。イオンエネルギーと入射角度の制御と精密なSIMSエンドポイントの組み合わせは、正確に制御された深さと壁面ダメージの少ない垂直壁のエッチングを可能にします。Ionfabにより、非常にコンタミが少なく、高品質、高密度、平滑な表面膜の成膜が実現します。
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