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ASP (原子スケールプロセス) とは、原子レベルで制御されたウェハ単位の加工を意味します。この原子レベルの制御は、薄膜の形成、材料の除去やエッチング、グラフェンのような独特のユニークな特性を持つ 1 次元および 2 次元材料の成長にも適用されています。
当社のプラズマプロセス装置により、ASPのための完璧なソリューションが提供されます。オックスフォード・インストゥルメンツのプラズマテクノロジーは、製造レベルに対応した原子スケールの精度で物質を操作することを可能にする、ユニークなクラスタ機能またはスタンドアローンシステムを提供します。
絶縁体、窒化物、金属を低ダメージで ALD (原子層堆積) により成膜することができます。当社のユニークなクラスター機能により、大気にさらされることなく表面を直接コーティングすることができます。例えば、エッチングされた界面や、ALD による絶縁膜やキャッピング層で覆われた MoS2 やグラフェンなどのフレッシュな 2D 材料は、多くのデバイスにとって非常に重要なポイントとなります。
絶縁体、金属について、低ダメージの ALD (原子層堆積)
CVD および ALD による原子レベル薄膜構造作製
ナノワイヤーを ALD 膜でコーティングすることや、1D および 2D 材料をエッチングしてその特性を調整することで、ユニークなデバイスを構築することができます。
DEZn プリカーサを用いた ZnO ナノワイヤの CVD 成長。
(提供：ケンブリッジ大学ナノサイエンスセンター)
CVD による hBN 成長
Si、GaN、2D 材料の原子層エッチング。これらの材料は、様々なデバイスで重要な機能を果たすため、極めて高い制御性と低ダメージでこれらをエッチングする能力は、有効な技術となります。さらに、ALE をデポジションや成長と組み合わせることにより、デバイスの製造に独自の利点をもたらすことができます。
ALE による Si トレンチパターン (幅 25 nm、深さ 110 nm)。HSQ マスク除去前。
PlasmaPro ASP はコンフォーマルなデポジションやチューニング可能な酸化物・窒化物の成膜を高速に行うことが可能となり、飛躍的な性能向上を実現
PlasmaPro ASP は、他のシステムとの組み合わせも容易で、高度な研究開発を実現
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