PlasmaPro 100 ALE 原子層エッチングシステム

PlasmaPro 100 ALE 原子層エッチングシステムにより、次世代半導体デバイスのエッチングを正確にコントロールすることが可能になります。GaN HEMTアプリケーションのリセスエッチングやナノスケールのレイヤーエッチングなどのプロセス用に特別に設計されており、このシステムの一層毎またはサイクリックエッチングプロセスにより、低ダメージで平滑な表面が実現します。

一層毎またはサイクリックエッチングプロセス - ALD に相当するエッチング
低ダメージ
平滑なエッチング表面
優れたエッチング深さ制御
ナノスケールのレイヤーエッチングに最適（2Dマテリアルなど）
幅広いプロセス・アプリケーションに対応

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特徴
アプリケーション

次世代半導体デバイスの実現に向け、薄膜化が進む中、より精密なプロセス制御による薄膜の形成・加工が求められています。PlasmaPro 100 ALEは、当社のCobra ICPプラットフォームに原子層エッチング用の特別なハードウェアを追加することにより、これを実現しました。

チャンバー内の均一な高伝導経路で反応種を基板に供給 - 低圧を維持したまま高ガス流を利用可能
高さ可変電極 - プラズマの3次元的な特性を活かし、厚さ10mmまでの基板を最適な高さで保持
広温度範囲電極（-150℃～＋400℃）を液体窒素や液循環式冷却器で冷却、または抵抗加熱器で加熱 - オプションのブローアウト・液交換ユニットでモード切り替えを自動化可能
再循環型チラーユニットによる流体制御電極 - 優れた基板温度制御を実現
最適なガス供給が可能なRFシャワーヘッド - LF/RF スイッチングにより均一なプラズマ処理を実現し、膜応力を精密に制御
65 mm、180 mm、300 mm のICPプラズマ源 - 200 mmウェハまでプロセスの均一性を実現
高いポンプ能力 - 広いプロセス圧力ウィンドウを提供
He 裏面冷却によるウェハクランプ - ウェハの最適な温度管理

パワーエレクトロニクスおよびRFデバイス用の低ダメージGaN HEMTリセスエッチング
2D マテリアルのパターニング / シニング
SiO₂や Si、SiN のナノ構造体
III-V 族半導体
固体レーザー InP エッチング
VCSEL GaAs/AlGaAs エッチング
高輝度 LED 製造用ハードマスクデポジションおよびエッチング
SiO₂ や石英のエッチング

PlasmaPro 100 ALE with Etchpoint

窒化ガリウム (GaN) は、パワーエレクトロニクスおよびRFアプリケーションにおいて、高い絶縁破壊強度、高速スイッチング、および高い熱伝導性を実現します。信頼性の高いGaN HEMTデバイスの量産をサポートするため、オックスフォード・インストゥルメンツはLayTec社と共同で、GaN HEMTデバイス構造を確実に製造するための新しいエッチング深さモニタリングソリューションを開発し、最適化しました。

PlasmaPro 100 ALE with Etchpoint®システムは、p-GaN HEMTやリセスゲートMISHEMTなどのデバイスに対して、比類のない精度のターゲットエッチング深さで、表面平滑化とともに低ダメージエッチングが可能になります。Etchpoint は、PlasmaPro 100 ALE システムのハードウェアとソフトウェアの両方に完全に統合され、GaN や AlGaN のエッチングを比類のない精度で実現します。

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