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PlasmaPro 800 RIE

PlasmaPro 800 RIE は、リアクティブイオンエッチング(RIE)プロセスの柔軟なソリューションを、大きなウェハバッチや300mmウェハにおいて、コンパクトな専有面積かつオープンロードシステムで実現します。大型ウェハテーブルにより、製造レベルのバッチ処理および300mmウェハの取り扱いが可能になります。

  • 高性能プロセス

  • 優れた基板温度制御

  • 高精度のプロセス制御

  • 実績のある、300mmシングルウェハの故障解析プロセス


お問い合わせ

PlasmaPro 800 RIEは、直径460mmのテーブルを備えていますので、300mmのフルサイズまたは43 x 50mm(2”)の大きなバッチに対応する能力があり、フル製造ソリューションを実現するとともに、市場をリードする実績を持った製品です。

PlasmaPro 800は、化合物半導体、オプトエレクトロニクス、フォトニクスのアプリケーションにおいて、最大限のプロセス柔軟性を提供します:

大型電極 - 低い所有コスト

エッチング エンドポイント検出 - 信頼性・サービス性

レーザー干渉法および/または発光分光法によるエンドポイント検出 - エッチング制御を強化するために装着することも可能

4-, 8- or 12-ライン ガスポッド オプション - プロセスやプロセスガスの柔軟性があり、通常のプロセスツールから離れたサービスエリアに設置することが可能

クローズカップル ターボポンプ - 高いポンピングスピードと優れたベース圧

データロガー - チャンバーやプロセス条件のトレーサビリティや履歴の取得

液冷式または電熱式電極 - 優れた電極温度制御と安定性

  • RIEやデュアルモードなど、専用に構成された故障解析ツールによる故障解析ドライエッチングデプロセス
  • パッケージチップやダイのエッチングから300mmウェハのフルエッチングまで、RIE/PEプロセスが可能
  • フォトニクス、絶縁膜パッシベーション、その他多くのアプリケーションに使用されるSiNxとSiO2の高品質PECVD
  • SiO2、SiNx、クォーツのエッチング
  • メタルやポリイミドのエッチング
  • 高輝度LED向けパッシベーション層のデポジション
  • III-V 族化合物半導体エッチングプロセス
PlasmaPro 800 カタログダウンロード

グローバルな、お客様サポート

オックスフォード・インストゥルメンツは、総括的で柔軟、かつ信頼できる、グローバルなお客様サポートをお約束しています。お客様のシステムが稼働している期間、高品質のサービスを提供します。

  • 遠隔診断ソフトウェアにより、迅速で簡便な欠陥診断と問題解決を実現します。
  • ご予算と状況に合わせた、サポート契約も用意しております。
  • 迅速な対応を実現するため、戦略拠点にグローバル予備品を揃えています。
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NEW: PTIQ ソフトウェア

PTIQ は、PlasmaPro および Ionfab プロセスシステム用の最新のインテリジェントソフトウェアソリューションです。

  • 卓越したレベルの応答性の高いシステム制御
  • システム、プロセスのパフォーマンスを最適化
  • お客様のご要望に合わせた様々なレベルのソフトウェア
  • 直感的なレイアウトとデザインに一新
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オプション

PlasmaPro 800 PECVD

  • 高性能な均質絶縁体薄膜を製造するように設計されています。選択可能または高低周波数混合プラズマ電源により、PECVDにおける応力制御が可能であり、デポジション膜を引張圧縮または低応力に対して調整することができます。

PlasmaPro 800 RIE

  • 業界を通して広く使われており、実績を持つドライエッチング技術です。

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