ALDによるGaNパワーデバイスの最適化については、当社のホワイトペーパーをご覧ください。
Plasma ALD Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> ( 300 °C) |
仕様 |
ウェハ膜厚均一性 |
<±1.0% |
ウェハ間膜厚再現性 |
<±1.0% |
耐電圧 |
≥7.0 MV/cm |
オックスフォード・インストゥルメンツは、総括的で柔軟、かつ信頼できる、グローバルなお客様サポートをお約束しています。お客様のシステムが稼働している期間、高品質のサービスを提供します。
電力変換や送電用に、新しい GaN パワーエレクトロニクスが開発されています。 GaN の高い電子移動度と耐電圧は、パワーデバイスの理想的な材料となっています。このようなデバイスを作るにはいくつかの戦略があり、AlGaN バリアのリセスエッチングを用いることはその代表的なものです。さらに、リーク電流を制限するためにゲート絶縁膜が望まれます。
2019 年 7 月から、このウェビナーをいつでもオンデマンドで視聴できます。当社の ALD エキスパートである Aileen O'Mahony 博士が、GaN 向け ALD のマスタークラスを開催しました。優れた均一性、低基板ダメージのための最適化されたプロセス条件、優れたデバイス性能のための高い材料品質、コンフォーマルデポジションをどのように実現できるかを見ていきます。このウェビナーでは、Atomfab ALD システムの紹介も行っています。