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EV 向け高速充電器
モバイル端末用 高速充電
ICP-RIE プロセスによる粗さの高い AlGaN の表面 (Ra : 0.8 nm)
ICP-RIE と ALE プロセスにより粗さが低減した AlGaN の表面 (Ra : 0.4 nm)
デバイスの性能を向上させるためのp-GaNデバイスの表面平滑化、平滑プロセスを実現するALE
ALE前のGaN表面粗さ (Ra : 0.2nm)。AlGaNスルーエッチングによる完全リセスデバイスの例。
ALE後のGaN表面粗さ (Ra : 0.1 nm)：AlGaNスルーエッチングによる完全リセスデバイスの例。
ノーマリオフデバイスの実現とデバイスの信頼性向上のため、部分的にエッチングされたリセスに対して、残存するAlGaNのエッチング厚みを±0.5 nmに正確に制御するALE
AlGaN 層に対する Etchpoint の精度を TEM により検証 ( 3サンプル)。ALE後のAlGaN残存厚は5nm±0.5nmとなり、Etchpointによるエッチングの痕と相関が見られました。
Etchpoint では、特許出願中の UV 反射率方式によるエンドポイント技術で、GaN および AlGaN のエッチング深度を比類のない精度で測定するために最適な波長が選択されています。他のエンドポイントソリューションでは、通常±2 nmの分解能しか得られないため、一部のGaN HEMTデバイス構造を確実に製造する能力が限界に達しています。この新しいエッチング深度モニタリングソリューションは、オックスフォード・インストゥルメンツがLayTec社と共同で開発し、最適化したものです。Etchpointは、PlasmaPro 100 ALEシステムのハードウェアとソフトウェアの両方と完全に統合されます。
ウェハのローディングにはカセット式と枚葉式があり、複数の技術やプロセスを組み合わせることが可能です。トランスファー チャンバーには、六角形と四角形があります。
オックスフォード・インストゥルメンツは、総括的で柔軟な信頼できる、グローバルなお客様サポートをお約束しています。お客様のシステムが稼働している期間、高品質のサービスを提供します。
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