PlasmaPro 80 ICP

PlasmaPro 80 ICP は、コンパクトな省スペースのシステムであり、多様なICPエッチングを、使い易い大気装入方式で実現します。設置や使用は簡単ですが、プロセスの品質はそのままです。大気装入設計は、迅速なウェハー装入と抽出を可能にし、研究やプロトタイプ、少量生産に理想的です。最適化された電極冷却および優れた基板温度の制御により、高性能プロセスを実現します。

大気装入設計により、迅速なウェハー装入と抽出が可能
優れたエッチング制御および最適エッチング速度が可能
優れたウェハー温度の均質性を実現
最大 200mm までのウェハー処理が可能
所有コストが低い
安全ガイドライン Semi S2/S8 基準に沿う

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応用分野
システムの特長

III-V 化合物プロセス
シリコンのボッシュおよび低温エッチングプロセス
SiO₂ と石英エッチング
パッケージチップおよびダイのエッチングから、最大200mmウェハーのエッチングまでの、故障解析ドライエッチング剥離処理
高輝度LED製造に向けた、ハードマスクのデポジションとエッチング

Top dielectric layer removed, exposing four metal layers

最表面の誘電体層を除去し、4つの金属層を露出

ICP65による、低損傷FAエッチング

Small footprint - Easy to site
Optimised electrode cooling - Substrate temperature control
High-conductance radial (axially symmetric) pumping configuration - Guaranteed enhanced process uniformity and rates are
Addition of < 500ms data logging - Traceability and history of chamber and process conditions
Close-coupled turbo pump - High pumping speed and excellent base pressure
Clear ease of access to key components - Improved serviceability and maintenance
X20 control system - Greatly increases data retrieval and delivers faster, more repeatable matching
Fault and tool diagnostics via front end software - Rapid fault diagnosis
Laser end-point detection using interferometry - Measure etch depth in transparent materials on reflective surfaces (for example, oxides on Si), or reflectometry for non-transparent materials (such as metals) to determine layer boundaries
Optical emission spectrometry (OES) for large sample or batch process end-pointing - Detecting changes in etch by-products or depletion of reactive gas species, and for chamber clean end-pointing