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PlasmaPro 80 ICP RIE

PlasmaPro 80 ICP RIEは、コンパクトで設置面積が小さく、便利なオープンローディングで多目的なICPエッチングソリューションを提供するシステムです。簡単な設置で使いやすく、さらにプロセス品質に妥協はありません。オープンロード設計により、ウェハの迅速なロードとアンロードが可能で、研究、プロトタイプ製作、少量生産に最適です。最適化された電極の冷却機能と優れた基板温度制御により、高性能なプロセスを実現します。

  • オープンロードデザインにより、ウェハの迅速なローディングとアンローディングが可能

  • 優れたエッチング制御および最適なエッチング速度設定

  • 優れたウェハ温度の均質性を実現

  • 最大 200mm のウェハのプロセスが可能

  • 所有コストが低い

  • 安全ガイドライン Semi S2/S8 準拠


お問い合わせ

  • III-V 族化合物半導体のプロセス
  • シリコンのボッシュおよびクライオエッチング プロセス
  • SiO2 や石英のエッチング
  • パッケージチップやダイのエッチングから、最大200mmウェハのエッチングまで、故障解析ドライエッチング剥離処理
  • 高輝度LED製造に向けた、ハードマスクのデポジションとエッチング
Top dielectric layer removed, exposing four metal layers

    最表面の絶縁層を除去し、4つの金属層を露出

    Top dielectric layer removed, exposing four metal layers

    最表面の絶縁層を除去し、4つの金属層を露出

    Low damage FA etching in the ICP65

    ICP65による、低ダメージ故障解析エッチング

    • コンパクト - 設置が容易
    • 最適化された電極の冷却機能 - 基板の温度制御
    • 高コンダクタンスラジアル(軸対称)ポンプを採用 - プロセスの均一性向上とエッチング速度を実現
    • 500ms以下のデータロガー機能 - チャンバーやプロセス条件のトレーサビリティと履歴を残すことが可能
    • クローズカップリング・ターボポンプ - 高いポンプスピードと優れたベース圧力
    • 主要部品への明確なアクセシビリティ - 整備性・メンテナンス性の向上
    • X20 コントロールシステム - データ検索性を大幅に向上させ、より速く、より再現性の高いマッチングを実現
    • フロントエンド・ソフトウェアによる故障診断とツール診断 - 迅速な故障診断
    • 干渉計を用いたレーザーエンドポイント検出 - 反射面上の透明材料のエッチング深さを測定(Si上の酸化物など)、または非透明材料(金属など)の反射率測定で層境界を決定
    • 大容量サンプルまたはバッチプロセスのエンドポイント測定用光学発光分光分析(OES) - エッチング副生成物の変化や反応性ガス種の消耗を検出し、チャンバークリーニングのエンドポイント測定に使用
    PlasmaPro 80 カタログダウンロード

    グローバルな、お客様サポート

    オックスフォード・インストゥルメンツは、総括的で柔軟、かつ信頼できる、グローバルなお客様サポートをお約束しています。お客様のシステムが稼働している期間、高品質のサービスを提供します。

    • 遠隔診断ソフトウェアにより、迅速で簡便な欠陥診断と問題解決を実現します。
    • ご予算と状況に合わせた、サポート契約も用意しております。
    • 迅速な対応を実現するため、戦略拠点にグローバル予備品を揃えています。
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    NEW: PTIQ ソフトウェア

    PTIQ は、PlasmaPro および Ionfab プロセスシステム用の最新のインテリジェントソフトウェアソリューションです。

    • 卓越したレベルの応答性の高いシステム制御
    • システム、プロセスのパフォーマンスを最適化
    • お客様のご要望に合わせた様々なレベルのソフトウェア
    • 直感的なレイアウトとデザインに一新
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