イオンビームエッチング＆ミリング (IBE)

イオンビームエッチング（またはミリング）は、高真空チェンバー内で適切なパターン加工されたマスクを用い、電荷粒子（イオン）のビームを基板に照射することにより実現されます。方向性の高い中性イオンビームにより、側壁形状とともに半径方向均質性の最適化、ナノ加工における形状制御ができます。傾斜形状は、サンプルを傾斜させイオンビームの入射方向を変える、特別な機構により作製できます。イオンビームエッチングでは、不活性ガスを使う物理的エッチングまたはミリングプロセスと、反応性イオン種を使って化学反応的に材料エッチングを増大させるRIBEの2つの方法が適用されます。