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AlGaN (窒化アルミニウムガリウム) 次世代のRFデバイスに使用され ることから、その重要性が高まっている材料です。AlGaNは材料として硬く、フォトレジストやハードマスクを用いてICP (Inductively Coupled Plasma : 誘導結合プラズマ) やRIE (Reactive Ion Etching : リアクティブイオンエッチング) の技術でドライエッチングを行うことができます。
AlGaN/GaNヘテロ接合の電子特性は、HEMT (HFETとも呼ばれる高電子移動度トランジスタ) などのRFデバイスに使用されています。当社のHEMT向けプロセスソリューションは、2DEG (2次元電子ガス) における欠陥を最小限に抑える状態密度を制御することにフォーカスしています。
ノーマリーオン・オフ動作とは、ゲートにかかる電圧が0Vのときに、2DEGチャネルがソースからドレインまで電流を流すことができるか否かを指します。2DEG のチャネルについて、さらに説明いたします。
ソースからドレインへ流れる電流を止めるためには、2DEG内で電子の濃度を局所的に乱す必要があります。この2DEGチャネルは、AlGaNとGaNのバンドギャップと分極の違いに起因しています。さらに、2つの層の格子不整合により界面に生じる機械的変形が、GaNの圧電特性により、さらなる分極作用を生じます。
2DEGを局所的に抑制するために、一般的な手法としてゲートをリセス (後退) させることがあります。ショットキーゲートの下にある空乏領域が2DEGに近づき、電子の濃度が低下するためです。また、ノーマリーオフ動作を実現するための他の技術も開発されています。
DモードAlGaN/GaN HEMTにおける2DEG形成
出典：チューリッヒ工科大学
プロセスに関するノウハウを活かし、低ダメージで優れた表面粗さと最適なエッチングレートが実証されています。
優れたエッチング速度で異方性プロファイルが実現
結晶構造へのダメージを最小限に抑えるために最適化されたプロセスです。この技術により、エッチングの深さを極めて正確に制御することができ、優れた表面粗さと均一な平滑効果を実現することができます。
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