化学気相堆積 (CVD)

CVD は、様々な組成および単原子層までの多様な厚さで、広範な薄膜を成膜するための確立されたデポジション手法です。

最高1200℃までのテーブル温度
ダイレクトまたはリモートプラズマ励起オプション
5 torrまでの動作圧力（より高圧も可能）
物理的／化学的なチェンバー洗浄の必要性を排除または低減する、エンドポイント制御が可能なドライプラズマ洗浄プロセス
12個のガス供給ラインに加えて、加熱・冷却可能な、多数の固体・液体原料プリカーサーの供給システム
下記を含めた、広範な材料のデポジションが可能：

SiベースのPECVD/ICP CVDプロセス、および同一チェンバー内での高温CVDプロセス
カーボンナノチューブやZnOナノワイヤー、Siナノワイヤーのような、1D材料の成膜
グラフェンやhBN、MoS₂/WS₂ 、他の遷移金属のジカルコゲナイド（TMDC）のような、2D材料の成膜

Graphene domains on Copper foil. (Growth arrested before film completion to visualise domains in SEM)

Graphene domains on Copper foil

CVD Growth of hBN

hBN CVD

CVD Growth of MoS₂

MoS₂ CVD

More 2D materials...

Nanofab	700°C table	800°C table	1200°C table
Thin Film Process	SiOx, SiNx, aSiC, aSi, μc-Si, polySi*	SiOx, SiNx, aSiC, aSi, μc-Si, polySi	SiOx, SiNx, aSiC, aSi, μc-Si, polySi
1D Nano materials	MWNTs, Si, Ge NWs, ZnO NWs	MWNTs, SWNTs, Si, Ge, ZnO NWs	MWNTs, SWNTs, Si, Ge, ZnO NWs
2D Nano materials	NA	NCG, Vertical Graphene	NCG, Vertical Graphene, BN, MoS<sub>2</sub> CVD Graphene