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PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE エッチングシステム

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE システムでは、高密度誘導結合プラズマを使用して、高速なエッチングレートを実現します。このプロセスモジュールは、GaAs や InP レーザーオプトエレクトロニクス、SiCGaNパワーエレクトロニクスや RF デバイス、MEMS やセンサーなど、多くの分野で使用されている、 200 mm までのウェハサイズに対応し、優れた均一性、高スループット、高精度、低ダメージのプロセスを提供しています。

  • 高速なエッチングレートおよび高い選択性

  • 低ダメージエッチングおよび再現性の高いプロセス

  • 単一ウェハ ロードロックまたは最大 5 プロセスモジュールを用いたクラスター化

  • 温度制御を最適化する He 裏面冷却

  • 広い電極温度範囲: -150℃ ~ 400℃

  • 最大 200 mm までの、全てのウェハサイズに適合

  • 異なるサイズのウェハの迅速な交換が可能

  • その場チェンバー洗浄および終端決定が可能


お問い合わせ

Cobra® ICP のプラズマ源は、低圧で高密度の反応種を発生させます。基板 DC バイアスは、独立した RF ジェネレーターによって駆動され、プロセス要件に応じてラジカルとイオンを独立して制御することが可能です。

オックスフォード・インストゥルメンツの PlasmaPro 100 プロセスモジュールは、200 mm のプラットフォームで、シングルウエハおよびマルチウエハバッチ機能を備えています。このプロセスモジュールにより、高スループット、高精度、優れた均一性が可能となり、クリーンで平滑な垂直プロファイルとエッチ面が実現されます。当社のシステムは、量産製造(HVM)において多くの導入実績があり、プロセスソリューションが確立されています。

機能

  • チャンバー内の均一な高伝導経路で反応種を基板に供給 - チャンバー圧力を低く保ちながら大流量のガスを使用することが可能で、高度なアプリケーション開発のための広いプロセスウィンドウを提供します。
  • 液体循環式冷凍機で -20℃、液体窒素で -150℃ まで冷却、または抵抗加熱で 400℃ まで加熱可能な広温度範囲電極を採用 - オプションのブローアウト・流体交換ユニットにより、モードの切り替えを自動化でき、-20℃ から -150℃ への移行は最短 10 分で完了
  • 再循環型チラーユニットで供給する流体制御電極 - 優れた基板温度制御を実現
  • 65 mm または 300 mm の ICP プラズマ源 -  200 mm  ウェハまで、優れたプロセス均一性を実現する 300 mm プラズマ源
  • He 裏面冷却によるウェハクランプ - ウェハの最適な温度管理
ICP RIE プロセス

アプリケーション

  • III-V 族化合物半導体に対するエッチングプロセスの拡張ライブラリ
  • 量子デバイス用 NbN と Ta
  • 化合物半導体アプリケーション:
  • Al, Cr, Ni などメタルエッチングの拡張ライブラリ
  • SiOx や SiO2 のエッチング
  • 溶融シリカや石英のエッチング
  • Si エッチング
  • SiO2 や SiNx のハードマスクエッチング
InP SEM ICP Etched
InLens SEM ICP Etched
Metal Masked fused silica SEMS
VCSEL Mesa SEM

ウェハサイズ: 最大 200 mm

ICP プラズマ源: 65 mm または 300 mm

温度範囲: -150 ~ 400 °C​

クラスター化: ALD、PECVD、イオンビームエッチング、イオンビームデポジションなどの技術を含む最大 5 つのモジュール

PlasmaPro 100 カタログ
ウェビナー:InP デバイス向けプラズマプロセス
White Paper: InPレーザーダイオードデバイスの製造: DFB グレーティングエッチング
PlasmaPro 100 カタログダウンロード

導入事例

今回、Glasgow 大学の 2 人の研究者から、大学内の最新鋭のクリーンルーム James Watt Nanofabrication Centre(JWNC)で行われている革新的なプロジェクトについて、非常に有益なお話を伺うことができました。

Jharna Paul 博士と Valentino Seferai 氏は、超伝導量子ビットの製造にオックスフォード・インストゥルメンツの PlasmaPro® 100 Cobra ICP RIE システムを使用しています。

「プラズマ、パワー、ガス供給、チャンバー圧力、基板温度を効果的にコントロールできるため、オックスフォード・インストゥルメンツの PlasmaPro 100 Cobra ICP エッチングシステムを使用しています」 Glasgow 大学助教、Jharna Paul博士


お客様の声

「PlasmaPro 100 ICP Cobra により、ウェハに非常に平滑な表面と側壁をエッチングすることができ、より深い構造化も可能です。UV LED に必要な、より硬い窒化アルミニウムでさえも成形することができるようになりました」

Braunschweig 工科大学シニアリサーチグループリーダー Jana Hartmann 博士

「このICP システムはエッチングレートを効果的に制御し、さらに安定したプロセスを実現します」

Glasgow 大学博士課程 Valentino Seferai


グローバルな、お客様サポート

オックスフォード・インストゥルメンツは、総括的で柔軟な信頼できる、グローバルなお客様サポートをお約束しています。お客様のシステムが稼働している期間、高品質のサービスを提供します。

  • 遠隔診断ソフトウェアにより、迅速で簡便な欠陥診断と問題解決を実現します。
  • ご予算と状況に合わせた、サポート契約も用意しております。
  • 迅速な対応のため、戦略的場所にグローバルに予備品を揃えています。
さらに詳しく

NEW: PTIQ ソフトウェア

PTIQ は、PlasmaPro および Ionfab プロセスシステム用の最新のインテリジェントソフトウェアソリューションです。

  • 卓越したレベルの応答性の高いシステム制御
  • システム、プロセスのパフォーマンスを最適化
  • お客様のご要望に合わせた様々なレベルのソフトウェア
  • 直感的なレイアウトとデザインに一新
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オプション

他の PlasmaPro 100 シリーズには以下が含まれます:

PlasmaPro 100 RIE

  • RIEモジュールは、広範なプロセスに対して異方性ドライエッチングを実現します。

PlasmaPro 100 ICPCVD

  • ICP CVDプロセスモジュールは、低いデポジション圧力と低い温度における高密度プラズマにより、常温から400℃までの高品質薄膜を製造するように設計されています。

PlasmaPro 100 PECVD

  • PECVDプロセスモジュールは、特に、優れた均質性と高速度の成膜を実現するように設計されており、屈折率や応力、電気的特性、湿式化学エッチング速度のような、薄膜特性を制御できるようになっています。

アップグレード・アクセサリー

ガスポッド - 追加のガスラインを組み込み、柔軟性を高めることが可能

Logviewer ソフトウェア - データログのソフトウェアであり、リアルタイムでグラフ化するとともに、処理後の解析も可能

光学エンドポイント検出器 - 最適なプロセス実績を達成するために重要なツール

ソフトポンプ - 真空チェンバーのポンプ速度を低減することが可能

ターボ分子真空ポンプ - 優れた排気速度と、高いスループットを提供

X20 コントロールシステム - システムのインテリジェンスを高め、将来の互換性が確保できる、柔軟で信頼性の高いツール

Advanced Energy社製Paramountジェネレータ - 信頼性が増し、プラズマの安定性が向上

自動圧力制御 - 非常に高速で正確な圧力制御が可能

デュアルCMゲージ・スイッチング - 2つのレンジの異なる容量型圧力計を活用し、単一の圧力バルブの制御が可能

液体窒素自動切り替えユニット - 液体窒素(LN2)とチラー冷媒の間で、テーブル冷媒を自動的に切り替えることが可能

TEOS 液体レベルセンサー - TEOS容器に適合した、超音波レベルセンサー

広温度範囲電極 - 設計を著しく改善し、プロセス性能を向上

その他アプリケーション

デバイス製造量子情報処理バイオMEMS半導体・マイクロエレクトロニクス

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