誘導結合プラズマ化学気相堆積 (ICPCVD)

ICP源における高密度プラズマの生成により、低温において低損傷で高品質の誘電被膜のデポジションを実現する技術です。低温デポジションであるので、温度による影響を受け易い薄膜やデバイスの製造に適しています。

低温で生成した、低損傷で優れた品質の薄膜
デポジション可能な代表的な材料:5℃までの低温基板による、SiO₂、Si₃N₄とSiON、SiとSiC
ICP源のサイズ65mm、180mm、300mmで、最大200mmのウェハーについて均質な製造が可能
5℃から400℃までの温度範囲に対応可能な電極
ICPCVDのガス分布に関する特許技術
エンドポイント検知可能な、その場チェンバー洗浄

	PlasmaPro 80	PlasmaPro 100
Electrode size	240mm
Wafer size	Up to 200mm
Loading	Open Load	Load locked or cassette
Substrates	50mm wafers	Up to 200mm with carriers options available for multi-wafers or small pieces
Dopants	No	Various dopants available which include PH<sub>3</sub>, B<sub>2</sub>H<sub>6</sub>, GeH<sub>4</sub>
Liquid precursors	No
MFC controlled gas lines	8 or 12 line gas box available
Wafer stage temperature range	20°C to 400°C	0°C to 400°C
In situ plasma clean	Yes

Our ICPCVD cleaning regime was developed to give reproducible deposition and low particles between mechanical cleans

Reduced cleaning time
Higher utilisation through optional interleaved clean
Accurate endpoint resulting in reduced over-etch of chamber components and increasing their lifetime

High Rate Clean Process Features

System Utilisation >70%
SF₆ /N₂O gas mixture
Improved End Point control
Plasma clean results in increased optical intensity with greater endpoint signal/resolution
Actual plasma clean time depends on film material, film quality and film thickness

Interleaved Clean Mode

High utilisation
Highly repeatable deposition rate
Low added particle counts maintained with clean after every wafer
> 50 microns between mechanical cleans

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ICPCVD Systems