誘導結合プラズマCVD (ICPCVD)

ICPソースによる高密度プラズマを生成する技術により、低温における低ダメージで高品質の絶縁膜のデポジションを実現します。低温におけるデポジションは、温度による影響を受け易い薄膜やデバイスの製造に適しています。

当社の ICP CVD プロセスモジュールは、低圧と低温においてプラズマを利用する当品質の薄膜形成に適した設計がなされています。

White Papers

低温プロセスによる低ダメージで高品質の薄膜形成
デポジション可能な代表的な材料 : 5℃ 以下に制御した低温 Si・SiC 基板における SiO₂、Si₃N₄、SiON
65mm、180mm、300mmの ICP ソースのサイズにより、最大 200mm のウェハにおける均質なプロセスを実現
5℃ ～ 400℃までの温度に対応する電極
技術特許取得済みのICPCVDガス供給技術
エンドポイント検知可能な、In situ チャンバー内クリーニング

	PlasmaPro 80	PlasmaPro 100
電極サイズ	240 mm
ウェハサイズ	最大 200 mm
ローディング	オープン	ロードロックまたはカセット式
基板	50 mm ウェハ	最大 200 mm (マルチウェハまたはスモールピース対応キャリアオプション)
ドーパント	No	PH<sub>3</sub>, B<sub>2</sub>H<sub>6</sub>, GeH<sub>4</sub>などのさまざまなドーパントが利用可能
液体プリカーサー	No
MFC 制御ガスライン	8ラインまたは12ラインのガスボックスが利用可能
ウェハテーブル温度範囲	20°C ～ 400°C	0°C ～ 400°C
in-situ プラズマクリーニング	Yes

当社の ICPCVD のクリーニングは、機械的クリーニングにより再現性の高いデポジションとパーティクルの低減を実現するために開発されました

クリーニング時間の短縮
オプションのインターリーブクリーニングによる使用率の向上
正確なエンドポイントによりチャンバーコンポーネントのオーバーエッチングが抑制され、システムの状態を維持

高速クリーニングの特長

システム使用率 >70%
SF₆ /N₂O 混合ガス
改良が加えられたエンドポイント制御
光強度を向上させるプラズマクリーニングによりエンドポイント信号/解像度が良好化
実際のプラズマクリーニング時間は膜の材質、品質、厚さにより異なります。

インターリーブクリーニングモード

高い稼働率
再現性の高いデポジション速度
ウェハプロセス後のクリーニングによりパーティクル数を抑制
50ミクロンのデポジションごとに行う機械的クリーニング

PlasmaPro 80
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PlasmaPro 100
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ICPCVD システム

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