誘導結合プラズマエッチング  ( ICP RIE )

アプリケーション

• LED、レーザー、パワーデバイス用の GaN エッチング
• 平滑なエッチング表面の垂直インジウムリン (InP) 導波路
• VCSEL向け平滑な側壁を実現する非選択性GaAs/AlGaAs
• 優れたエッチング深さ制御による正確な VCSEL メサ エッチング
• オプトエレクトロニクス用の高選択性 GaAs/AlGaAs
• 導波路向け酸化物エッチング
• 故障解析アプリケーションや除去：
  • 等方性ポリイミドおよび等方性窒化物（不動態化）
  • 異方性酸化物 (IMD/ILD)
  • Low-k 酸化物
  • Al や Cu
  • 裏面バルクシリコン

機能

• セパレートタイプ RF ジェネレーターと ICP ジェネレーターにより、イオンエネルギーとイオン密度を個別に制御できるため、高いプロセスの柔軟性が可能
• 化学エッチングおよびイオン誘起エッチング
• 特定の低エッチング速度アプリケーションでは RIE モードでも実行可能

• ICP-CVDモードでのデポジションに使用可能
• 高コンダクタンスのポンピングポートにより高いガススループットを実現し、最速のエッチング速度を実現
• 静電シールドにより容量結合が排除され、デバイスへの電気的ダメージが軽減され、チャンバー内のパーティクルが減少
• ウェハクランプとHe冷却を標準装備し、幅広い温度範囲のオプションで優れた温度制御を実現