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ICP RIE エッチングは、高いエッチング速度、高い選択性、低ダメージの処理を実現するように設計された高度な技術です。 プラズマを低圧に維持できるため、優れたプロファイル制御も実現します。
Cobra® ICP プラズマソースは低圧で動作し、均一な高密度プラズマを生成します。基板のDCバイアスはRFジェネレーターにより独立に制御が行われ、プロセスの必要性に応じたイオンエネルギーをコントロールすることができます。
| PlasmaPro 80 | PlasmaPro 100 | PlasmaPro Polaris | |
| 電極サイズ | 240mm | ||
| ローディング | オープン | ロードロックまたはカセット式 | ロードロックまたはカセット式 |
| ウェハサイズ | 最大 50mm (2")* | 最大 200mm | 最大 200mm |
| MFC 制御ガスライン | 8ラインまたは12ラインのガスボックスが利用可能 | 3～5のクローズガスライン (8～12外部オプション) | 8ラインまたは12ラインのガスボックスが利用可能 |
| ウェハテーブル温度範囲 | -150 ～ 400ºC | ||
平滑な側壁とパーティクルの非常に少ないエッチング表面の InP の ICP エッチング
Cr マスクを用いた SiO2 導波路の ICP エッチング
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