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FlexAL ALD

FlexAL ALD (原子層堆積) システムは、最適化された高品質のプラズマALDおよび熱ALDプロセスを幅広く提供し、一つのプロセスチャンバーを用いたプリカーサー、プロセスガス、ハードウェア構成に高い柔軟性を備えています。

  • 一つのデポジションチャンバー内で熱ALDと、リモートプラズマによる低ダメージのプラズマALDの併用が可能

  • 薄膜特性をコントロールするRF電極オプション

  • 製造プロセスに最適なカセット方式のハンドリングにより、高いスループットが実現

  • プリカーサー、プロセスガス、ハードウェア、オプションの選択にも、高い柔軟性

  • 低ダメージで高品質な 基板を維持するために最適化

  • 交換可能なライナーにより、チャンバーのメンテナンスが容易

  • 温度変化の影響が大きい表面に対しても、高品質な薄膜を実現する低温デポジション


お問い合わせ

当社の ALD シリーズでは、学術界、企業の研究開発、小規模生産の様々な要求を満たすための様々なツールを用意しています。オックスフォード・インストゥルメンツは、豊富なプロセスライブラリを有しており、新しいプロセスも継続的に開発されています。当社は、ALD 装置の使用期間中、無料で継続的なプロセスサポートを提供し、新しい材料の開発に関するアドバイスや、新しいプロセスレシピを含む当社の最新の ALD プロセス開発への継続的な提供を行っています。

プラズマ ALD プロセスにおいて、イオンは重要な役割を果たします。イオンは、特に窒化物や低い成膜温度で膜質を向上させることができます。しかし、ある種の界面や基板は、イオンの影響を受けやすく、デバイスのダメージにつながる可能性があります。FlexAL ALD システムは、先進のプラズマ源と自動マッチングユニット(AMU)によってプラズマイオンを正確に制御し、ダメージを最小限に抑えながら、プラズマのメリットを最大限に生かすことができます。

  • エリプソメトリーなどのin-situ分析装置を統合するためのチャンバーポートおよびウィンドウ
  • 200mmまでの基板を搭載できる自動枚葉式ロードロック
  • チャンバー間の真空搬送を行うプロセスモジュールを追加してクラスタ化が可能
  • プリカーサー交換の手順をチェックリスト付きでモニターに表示
  • スルーザウォール構造でクリーンルームインターフェースが利用可能
  • オゾン発生器の組み込みが可能
  • 幅広い電極オプション - グラウンド電極とバイアス電極
  • 水分に影響を受けやすい窒化物や金属に有効なターボ分子ポンプ
  • 導電性、結晶性、応力制御など、膜の特性を向上させるRFテーブルバイアスオプション
  • TiN や NbN などの量子デバイス用超伝導窒化物
  • GaN HEMT の前処理とパッシベーション
  • グラフェンパッシベーション用高品位 High-k ゲート酸化物(酸化チタン、酸化シリコン、酸化ガリウムなど)
  • 2 次元遷移金属ダイカルコゲナイド (TMDC) の ALD
  • OLED と高分子のためのピンホールフリーパッシベーション層
  • 結晶シリコン太陽電池のパッシベーション
  • ALD による水分バリアとセンシティブな基板のパッシベーション
  • マイクロフルイディクス用の高コンフォーマルコーティング

Plasma ALD for Al2o3 - Courtesy by TUe
Plasma ALD for SiO2 - Courtesy by TUe

画像:高コンフォーマルプラズマ ALD Al2O3 (左図)、 SiO2 (右図) - 提供  アイントホーフェン工科大学

Conformal deposition of SiO2, TiO2 and Al2O3 by Plasma ALD

画像:プラズマ ALD を用いた SiO2、TiO2、Al2O3 のコンフォーマルデポジション, (CC BY 4.0 license), image library at www.AtomicLimits.com, 2021

ウェハサイズ: 最大 200 mm

プラズマ源発生装置:300 W または 600 W

温度範囲:30 ~ 550 °C​ (テーブルバイアス使用)

プリカーサ

  • 研究用 (100 g まで)、製造用 (500 g まで) のプリカーサオプション
  • 金属液体または固体のラピッドバブリングプリカーサーを最大 8 個まで使用可能
  • 最大 10 個のプラズマおよび熱ガスプリカーサ
  • ウォーターポット装備 (水プリカーサ用)
  • オゾン発生装置 (オプション)

クラスター化可能モジュール:PECVD、ICPCVD、RIE、スパッタリングモジュール

FlexAL ALD カタログ
導入事例: アイントホーフェン工科大学 (TU/e)
ブログ:ALDによる 2D マテリアル
カタログダウンロード

導入事例

当社のプラズマテクノロジーとアイントホーフェン工科大学は、15年にわたるパートナーシップのもと、ナノ加工技術の多くのアプリケーションにおいて、最も急速に発展している技術の 1 つである ALD (原子層堆積) の研究開発を推進しています。

今回、オックスフォード・インストゥルメンツの FlexAL ALD システムを使用し、高品質の成膜を可能にした TU/e の 2 人の博士課程の学生の研究プロジェクトを紹介します。先進的なプラズマ ALD 技術を使って、Karsten Arts 氏は高アスペクト比構造のコンフォーマルデポジションを成功させ、Marc Merkx 氏は窒化チタン (TiN) の高選択的成長を達成しました。


お客様の声

「FlexAL システムの最大のメリットは、プラズマ機能です」

Marc J. M. Merkx - Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology

グローバルな、お客様サポート

オックスフォード・インストゥルメンツは、総括的で柔軟、かつ信頼できる、グローバルなお客様サポートをお約束しています。お客様のシステムが稼働している期間、高品質のサービスを提供します。

  • 遠隔診断ソフトウェアにより、迅速で簡便な欠陥診断と問題解決を実現します。
  • ご予算と状況に合わせた、サポート契約も用意しております。
  • 迅速な対応を実現するため、戦略拠点にグローバル予備品を揃えています。
詳細はこちら

オプション

FlexAL2D

FlexAL2Dシステムは、ナノデバイス研究開発に向けた 2D 遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)の ALD を実現し、2D マテリアルの作製に多くのメリットをもたらします。

2D マテリアルの作製

  • CMOSに適合する温度が可能
  • 正確な層数のコントロール
  • 大面積ウェハ(200 mm)のプロセスが可能

2Dマテリアルに向けた堅牢なALDプロセス

  • 自己制限的なALD成長が可能
  • MoS2が可能
  • 無酸素かつ無炭素(2%未満)
  • 1サイクルあたり高デポジションレート(~0.1nm/cycle)
  • 300℃以上で結晶性材料のデポジションが可能

容易な形態制御

  • 基底面または側壁面の方向性制御
  • 単一のシステムで、2Dマテリアル上に、絶縁体 ALD や他の ALD 層の成膜が可能
  • 先進的な 2D デバイス構造の生成
  • 薄膜特性の制御のための、RF基板バイアスオプション

アップグレード・アクセサリー

ガスポッド - 追加のガスラインを組み込み、柔軟性を高めることが可能

Logviewer ソフトウェア - データログのソフトウェアであり、リアルタイムでグラフ化するとともに、処理後の解析も可能

光学エンドポイント検出器 - 最適なプロセス実績を達成するために重要なツール

X20 コントロールシステム - システムのインテリジェンスを高め、将来の互換性が確保できる、柔軟で信頼性の高いツール

Dual CM ゲージスイッチ - 1つの圧力制御バルブで、2つの異なるレンジのキャパシタンスマノメータを使用することが可能

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