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Process solutions for

RFデバイス

RF デバイス

ワイドバンドギャップ(WBG)デバイスは、市場にある様々なデバイス技術の中でも独自の優れたRF性能を実現できます。基地局は、大量のデータ伝送を行える、高出力で高速なスイッチングデバイスを必要とします。また、人口増加に伴う電力需要の増大に対して、今後はエネルギー生成、分散、回収のための新たな手法が不可欠です。GaN HEMTをはじめとする半導体技術が、電気自動車などのグリーン技術や、基地局間通信などの通信用途におけるエネルギー消費効率の改善に使われています。

化合物半導体 RF デバイスの製造プロセス

オックスフォード・インストゥルメンツは、化合物半導体を使ったRFデバイスの製造に適した広範な処理装置を用意しています。

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ATOMFAB ALD 装置

Atomfab により、GaN パワーデバイスや RF デバイス向けに、迅速かつ低ダメージ、さらに低所有コストの生産向けプラズマ ALD が実現します。当社の最新技術が搭載された ALD 装置です。

  • 優れた均一性の成膜
  • 基板に対して低ダメージ
  • 低い所有コスト
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