当社のGaN向けALEおよびALDシステムの受注が増加
オックスフォード・インストゥルメンツ、日本の主要なパワーエレクトロニクスおよびRFデバイスファウンドリー数社からGaN向けALEおよびALDシステムを受注
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PlasmaPro 80 リアクティブイオンエッチング（RIE）は、コンパクトな省スペースのシステムであり、多様なエッチングとデポジションのソリューションを、使い易い大気装入方式で実現できます。設置や使用が簡単ですが、プロセスの品質はそのままです。大気装入設計は、迅速なウェハー装入と抽出を可能にし、研究やプロトタイプ、少量生産に理想的です。最適化された電極冷却および優れた基板温度の制御により、高性能プロセスを実現します。
大気装入設計により、迅速なウェハー装入と抽出が可能
優れたエッチング制御および最適エッチング速度が可能
優れたウェハー温度の均質性を実現
最大200mmまでのウェハー処理が可能
所有コストが低い
安全ガイドラインSemi S2/S8基準に準拠
InP 導波路の RIE
RIE による 7 μm ポリイミド構造
当社のPlasmaPro® 80 RIEを使用して、量子技術や光デバイスに関する研究を行っているロンドン大学 (UCL) の2名のシニアリサーチフェローの方々に感想をお聞きする機会がありました。
Oscar Kennedy 博士は、PlasmaPro RIE システムを使用して超電導 NbN 膜をエッチングして超電導回路を作成しましています。また、Wing Ng 博士は、RIE システムを使用し、一対のチップベースの光バッファ用導波路間に、平滑な側壁の50 nm のギャップを正確にパターン化しました。
リアクティブイオン エッチングは、半導体デバイスの製造において優れたプロセス制御を提供し、多くのデバイス製造プロセスで使用されています。
"PlasmaPro RIEを使用すると、非常に強力な化学クリーニングを行った後に、直ちに基板上に超電導材料のデポジションが可能になります。使いやすく、簡単で、強力かつ短時間で結果を得ることができます"
Dr Oscar Kennedy, UCLQ Postdoctoral Fellow
"オックスフォードの RIE システムは、プロセスにおける高い柔軟性と、ガスとプラズマパワーの優れた制御が可能です"
Dr Wing Ng, Senior Research Fellow at UCL
オックスフォード・インストゥルメンツは、総括的で柔軟、かつ信頼できる、グローバルなお客様サポートをお約束しています。お客様のシステムが稼働している期間、高品質のサービスを提供します。
PTIQ は、PlasmaPro および Ionfab プロセスシステム用の最新のインテリジェントソフトウェアソリューションです。
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