パワーデバイスのソリューション

• 当社の原子層堆積(ALD)プロセスは、GaN/AlGaNの優れたパッシベーションにより、しきい値電圧の変動を低減します。
• Atomfab は、GaN や RF デバイスの製造に特化して設計された ALD 技術における最新のイノベーションです。
• 当社のGaNエッチングプロセスは、プラズマダメージを低減し、平滑なエッチングプロファイルが得られるように最適化されています。
• エッチングレートを数 nm/min に調整でき、AlGaN の僅か 10-30 nm を超低ダメージでエッチングすることができます。
• SiCビアエッチングにより、優れたサイドウォール品質と、高いエッチングレートを実現します。
• SiCフィーチャーエッチングでは、最適なデバイス性能を実現するために、滑らかなエッチング面を実現しています。

SiC および GaN の製造プロセス

簡素化したプロセスフローを示します。オレンジ色のプロセスは、オックスフォード・インストゥルメンツの「テクノロジー」がカバーするソリューションを表しています。