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PROCESS SOLUTIONS FOR

パワーデバイス

SiC & GaN パワーデバイス

電気自動車や地域の発電・送電網などの新技術を実現するために、高効率の電力スイッチング・変換デバイスが使用されています。

SiC
(シリコンカーバイド) や GaN (窒化ガリウム) などの材料の使用によるデバイス性能の向上は、エネルギ損失の低減を実現します。オックスフォード・インストゥルメンツは、ALD (原子層堆積法)、プラズマエッチングプラズマデポジションなどのプロセスソリューションを通じて、最適なデバイスを製造する方法について高い技術力を持っています。

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パワーデバイスのソリューション

  • 当社の原子層堆積(ALD)プロセスは、GaN/AlGaNの優れたパッシベーションにより、しきい値電圧の変動を低減します。
  • Atomfab は、GaN や RF デバイスの製造に特化して設計された ALD 技術における最新のイノベーションです。
  • 当社のGaNエッチングプロセスは、プラズマダメージを低減し、平滑なエッチングプロファイルが得られるように最適化されています。
  • エッチングレートを数 nm/min に調整でき、AlGaN の僅か 10-30 nm を超低ダメージでエッチングすることができます。
  • SiCビアエッチングにより、優れたサイドウォール品質と、高いエッチングレートを実現します。
  • SiCフィーチャーエッチングでは、最適なデバイス性能を実現するために、滑らかなエッチング面を実現しています。

SiC および GaN の製造プロセス

簡素化したプロセスフローを示します。オレンジ色のプロセスは、オックスフォード・インストゥルメンツの「テクノロジー」がカバーするソリューションを表しています。

お問い合わせ

Atomfab ALD システム

Atomfab は、当社の ALD システム技術における最新のイノベーションであり、GaN パワーデバイスおよび RF デバイス向けに、迅速、低ダメージ、低所有コスト生産のプラズマ ALD プロセスを実現します。

  • 優れた膜厚均一性
  • 基板へのダメージを低減
  • 競争力のある所有コスト
SiC hole etch SEM image

SiC ホール・エッチングの SEM 画像

SiC hole etch close-up SEM image

SiC ホール・エッチングの SEM 拡大画像

Smooth and vertical SiC feature etch

平滑で垂直な SiC エッチングの SEM 画像

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