パワーデバイスのソリューション

パワーデバイスのソリューション

• 当社の原子層堆積(ALD)プロセスは、GaN/AlGaNの優れたパッシベーションにより、しきい値電圧の変動を低減します。
• 当社のGaNエッチングプロセスは最適化されて、プラズマによる損傷を低減し、滑らかなエッチング形状を実現します。
• エッチング速度は、たった数nm/minに調整して損傷を極めて低くし、たった10～30nmの AlGaNになるよう、エッチングが制御されています。
• SiCビアエッチングは、優れた側壁品質を保ちながら、高速度を達成します。
• SiC形状エッチングにより、滑らかなエッチング表面が得られ、最適なデバイス性能が得られます。