リアクティブイオンエッチング (RIE)

反応性イオンエッチング（RIE）は、一般的なプラズマエッチングとして、簡単に操作できるとともに、経済的なソリューションです。単一のRFプラズマ源により、イオンの密度とエネルギーが決定されます。

特長とメリット
Hardware

RIE の特長:

固体RF発生器と密接に結合したマッチング・ネットワークによる、高速で正確なエッチング
全面積に渡るガス注入シャワーヘッドによる、均一なガス分布
-150℃から+400℃までの電極温度設定
高いポンプ容量による、広範なプロセス圧力ウインドウ
Heによる裏面冷却ができるウェハークランプによる、ウェハー温度の最適制御

エッチング可能材料は次のように多岐にわたります:

絶縁体材料（SiO₂、SiN_xなど）
シリコン基材料（Si、アモルファスSi、多結晶Si）
III-V 化合物（GaAs、InP、GaNなど）
スパッター金属（Au、Pt、Ti、Ta、Wなど）
ダイヤモンドライクカーボン（DLC）

	PlasmaPro 80	PlasmaPro 800	PlasmaPro 100
Electrode size	240mm	460mm	240mm
Loading	Open load		Load locked or cassette
Substrates	Up to 240mm	Up to 460mm	200mm with carriers options available for multi-wafers or small pieces
MFC controlled gaslines	8 or 12 line gas box available
Wafer stage temperature range	-150°C to 400°C	10°C to 80°C	-150°C to 400°C
He Back side cooling option	Yes	No	Yes
ICP Option	Yes	No	Yes
Focused Plasma	Yes		No