ロケーション:
ANAクラウンプラザホテル金沢
事業部:
Asylum Research, Plasma Technology, WITec | Raman
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当社のイオンビームエッチング（IBE）および、イオンビームデポジション（IBD）システムは、高品質な材料プロセスにおいて評価の高い装置です。オープンロード、枚葉式ロードロック、カセットtoカセットなど、柔軟なハードウェアオプションが用意されています。アプリケーションに合わせたシステム仕様で、より速く、より再現性の高いプロセス結果を実現します。
マルチモード機能
他のプラズマエッチング装置や デポジション装置とのクラスタリングが可能
枚葉式ロードロックまたはクラスタ式ウェハ ハンドリング
デュアルビーム仕様
非常に平滑な薄膜が実現
比類ないバッチ均一性とプロセス再現性
正確なエンドポイント検出 - SIMS、発光素子
超低コンタミネーションが実現した高品質薄膜
高スループット、コンパクト、低コストの運用が実現
特許取得の高速基板ホルダー（最大500rpm）
非常に正確なin-situ光学薄膜コントロール
イオンビーム技術により、エッチングとデポジションのための非常に多用途なアプローチが可能になり、単一のツールとして提供されるシステムを最大限に活用することができます。イオンビームエッチングは、優れた均一性とともに、最大限の柔軟性を提供します。
オープンロード、枚葉式ロードロック、カセットtoカセットなど、柔軟なハードウェアオプションが用意されています。アプリケーションに合わせたシステム仕様で、より速く、より再現性の高いプロセス結果を実現します。
ウェハサイズ |
100 mm |
200 mm | |||||||||
エッチング RF イオンソース |
15 cm |
30 cm | |||||||||
基板回転速度 |
最大 20 rpm | ||||||||||
基板傾斜角 |
水平 - 90°、下向き + 65° | ||||||||||
テーブル温度 |
10 ℃～300 ℃ (チラーやヒーターの構成による) | ||||||||||
IBE 用 Ionfab についての詳細は下記よりご連絡ください
お問い合わせイオンビーム技術により、エッチングとデポジションのための非常に多用途なアプローチが可能になり、単一のツールとして提供されるシステムを最大限に活用することができます。当社のイオンビームデポジション製品は、高品質、高密度、平滑な表面を持つ蒸着膜を製造できることから評価されています。
当社のシステムは、オープンロード、枚葉式ロードロック、カセットtoカセットなどの柔軟なハードウェアオプションを備えています。アプリケーションに合わせたシステム仕様で、より速く、より再現性の高いプロセス結果を実現します。
ウェハサイズ |
100 mm |
200 mm | |||||||||
デポジション イオンソース |
15 cm |
15 cm | |||||||||
基板回転速度 |
最大 20 rpm | ||||||||||
基板傾斜角 |
水平 - 90°、下向き + 65° | ||||||||||
テーブル温度 |
10 ℃～300 ℃ (チラーやヒーターの構成による) | ||||||||||
IBD 用 Ionfab についての詳細は下記よりご連絡ください
お問い合わせ高いフレキシビリティが要求される研究・パイロット生産に対応したコンパクトなイオンビームエッチング・デポジションシステムで、エッチングまたはデポジション用に最大2個（15cm）のイオンソースを搭載しています。最大200mmウェハサイズでのデポジション、最大100mmウェハサイズでのエッチプロセスに最適化されています。
本装置は、設置面積は同じですが、プロセスチャンバーが大きく、エッチングとデポジションの両方で最大200 mmまでのウェハプロセスができるように設計されています。30cmのエッチングイオンソースを搭載し、優れたエッチング均一性と優れたプロセス安定性を実現し、パイロットおよびフルスケール製造に最適なシステムとなっています。
オックスフォード・インストゥルメンツは、総括的で柔軟な信頼できる、グローバルなお客様サポートをお約束しています。お客様のシステムが稼働している期間、高品質のサービスを提供します。
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