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Ionfab イオンビーム

当社のイオンビームエッチング(IBE)および、イオンビームデポジション(IBD)システムは、高品質な材料プロセスにおいて評価の高い装置です。オープンロード、枚葉式ロードロック、カセット式など、柔軟なハードウェアオプションが用意されています。アプリケーションに合わせたシステム仕様で、より速く、より再現性の高いプロセス結果を実現します。

  • マルチモード機能

  • 他のプラズマエッチング装置や デポジション装置とのクラスタリングが可能

  • 枚葉式ロードロックまたはクラスタ式ウェハ ハンドリング

  • デュアルビーム仕様

  • 非常に平滑な薄膜が実現

  • 比類ないバッチ均一性とプロセス再現性

  • 正確なエンドポイント検出 - SIMS、発光素子

  • 超低コンタミネーションが実現した高品質薄膜

  • 高スループット、コンパクト、低コストの運用が実現

  • 特許取得の高速基板ホルダー(最大500rpm)

  • 非常に正確なin-situ光学薄膜コントロール


イオンビーム技術により、エッチングとデポジションのための非常に多用途なアプローチが可能になり、単一のツールとして提供されるシステムを最大限に活用することができます。イオンビームエッチングは、優れた均一性とともに、最大限の柔軟性を提供します。

オープンロード、枚葉式ロードロック、カセット式など、柔軟なハードウェアオプションが用意されています。アプリケーションに合わせたシステム仕様で、より速く、より再現性の高いプロセス結果を実現します。

主なメリット

  • 高度な研究アプリケーションに対応する柔軟なフレキシビリティの高い構成が可能
  • 製造において求められる優れた均一性、プロセス再現性
  • フレキシビリティの高いウェハ ハンドリング - シングルウェハ ロードロックまたはカセット式ハンドラー

ハードウェア

ウェハサイズ

100 mm

200 mm

エッチング RF イオンソース

15 cm

30 cm

基板回転速度

最大 20 rpm

基板傾斜角

水平 - 90°、下向き + 65°

テーブル温度

10 ℃~300 ℃ (チラーやヒーターの構成による)

アプリケーション

  • 傾斜エッチング
  • レーザーファセット エッチング
  • 磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ (MRAM)
  • 強誘電体薄膜
  • III-V 族化合物フォトニクス半導体エッチング
  • スピントロニクス
  • メタルコンタクトとトラック
  • 超電導体

 

イオンビーム エッチング モード

  • イオンビームエッチング (IBE) / イオンビームミリング
  • リアクティブイオンビーム エッチング (RIBE)
  • ケミカルアシスト イオンビームエッチング (CAIBE)

IBE 用 Ionfab についての詳細は下記よりご連絡ください

お問い合わせ

イオンビーム技術により、エッチングとデポジションのための非常に多用途なアプローチが可能になり、単一のツールとして提供されるシステムを最大限に活用することができます。当社のイオンビームデポジション製品は、高品質、高密度、平滑な表面を持つデポジション膜を製造できることから評価されています。

当社のシステムは、オープンロード、枚葉式ロードロック、カセット式などの柔軟なハードウェアオプションを備えています。アプリケーションに合わせたシステム仕様で、より速く、より再現性の高いプロセス結果を実現します。

主なメリット

  • 超低コンタミネーションが実現した高品質薄膜
  • 高スループット、コンパクト、低コストの運用が実現
  • 比類ないバッチ均一性とプロセス再現性
  • 非常に正確な光学薄膜コントロール
  • 非常に平滑な薄膜表面

ハードウェア

ウェハサイズ

100 mm

200 mm

デポジション イオンソース

15 cm

15 cm

基板回転速度

最大 20 rpm

基板傾斜角

水平 - 90°、下向き + 65°

テーブル温度

10 ℃~300 ℃ (チラーやヒーターの構成による)

アプリケーション

  • レーザーファセットコーティング(高反射、反射防止を含む)
  • リングレーザージャイロミラー
  • X線 オプション
  • II-VI族ベースの赤外線 (IR) センサー
  • IR センサー (酸化バナジウム, II-VI)
  • 通信用フィルター

 

イオンビームデポジション モード

  • イオンビーム スパッタリング デポジション (IBSD)
  • イオンアシスト スパッタリング デポジション (IASD)
  • リアクティブイオンビーム デポジション (RIBD)

IBD 用 Ionfab についての詳細は下記よりご連絡ください

お問い合わせ

Ionfab 標準チャンバー

高いフレキシビリティが要求される研究・パイロット生産に対応したコンパクトなイオンビームエッチング・デポジションシステムで、エッチングまたはデポジション用に最大2個(15cm)のイオンソースを搭載しています。最大200mmウェハサイズでのデポジション、最大100mmウェハサイズでのエッチプロセスに最適化されています。

Ionfab 大型チャンバー

本装置は、設置面積は同じですが、プロセスチャンバーが大きく、エッチングとデポジションの両方で最大200 mmまでのウェハプロセスができるように設計されています。30cmのエッチングイオンソースを搭載し、優れたエッチング均一性と優れたプロセス安定性を実現し、パイロットおよびフルスケール製造に最適なシステムとなっています。

カタログダウンロード (日本語版)

グローバルな、お客様サポート

オックスフォード・インストゥルメンツは、総括的で柔軟な信頼できる、グローバルなお客様サポートをお約束しています。お客様のシステムが稼働している期間、高品質のサービスを提供します。

  • 遠隔診断ソフトウェアにより、迅速で簡便な欠陥診断と問題解決を実現します。
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  • 迅速な対応を実現するため、戦略拠点にグローバル予備品を揃えています。

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