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PlasmaPro 100 ICPCVD

このICPCVDプロセスモジュールは、低成膜温度で高品質の薄膜を製造するように設計されており、低損傷の優れた薄膜特性を達成する、高密度のリモートプラズマによって実現します。

  • 優れた均質性、高スループット、高精度のプロセス

  • 高品質の薄膜

  • 広い電極温度範囲

  • 最大200mmサイズまでの、全てのウェハーに適合

  • ウェハーサイズの迅速な交換

  • 所有コストが低く、保守が簡単

  • 専有面積が小さく、レイアウトに柔軟に対応

  • 抵抗加熱電極により、最大400℃または1200℃まで可能

  • その場チェンバー洗浄および終端決定が可能

  • 柔軟な気相供給モジュールを装備し、例えば、TTIPを使ってTiO2、TEOSを使ってSiO2のように、液体原料プリカーサーを用いた薄膜デポジションが可能


お問い合わせ

  • 低温度において、低損傷の優れた品質の薄膜
  • デポジション可能な代表的な材料:5℃までの低温度基板による、 SiO2Si3N4 と SiON、SiSiC
  • ICP源のサイズ65mm、180mm、300mmで、最大200mmのウェハーについて均質な製造が可能
  • 5ºCから400ºCまでの温度範囲に対応可能な電極
  • ICPCVDのガス分布に関する特許技術
  • エンドポイント検知可能な、その場チェンバー洗浄
  • 柔軟な気相供給モジュールを装備し、例えば、TTIPを使って TiO2 、TEOSを使って SiO2 のように、液体原料プリカーサーを用いた薄膜デポジションが可能
SiO2

SiO2 deposited using TEOS and O2 by ICP CVD in ~50μm deep trench 4:1 aspect ratio

SiNx

SiNx deposited by ICP CVD at room temperature for 22nm T-gate HEMT

  • Wall heating reduces chamber wall deposition
  • Helium backside cooling with mechanical clamping ensures uniform wafer temperatures & optimised film properties
PlasmaPro 100 のカタログのダウンロードは、こちら

グローバルな、お客様サポート

オックスフォード・インストゥルメンツは、総括的で柔軟な信頼できる、グローバルなお客様サポートをお約束しています。お客様のシステムが稼働している期間、高品質のサービスを提供します。

  • 遠隔診断ソフトウェアにより、迅速で簡便な欠陥診断と問題解決を実現します。
  • ご予算と状況に合わせた、サポート契約も用意しております。
  • 迅速な対応を実現するため、戦略拠点にグローバル予備品を揃えています。
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アップグレード・アクセサリー

ガスポッド - 追加のガスラインを組み込み、柔軟性を高めることが可能

Logviewer ソフトウェア - データログのソフトウェアであり、リアルタイムでグラフ化するとともに、処理後の解析も可能

光学エンドポイント検出器 - 最適なプロセス実績を達成するために重要なツール

ソフトポンプ - 真空チェンバーのポンプ速度を低減することが可能

ターボ分子真空ポンプ - 優れた排気速度と、高いスループットを提供

X20 コントロールシステム - システムのインテリジェンスを高め、将来の互換性が確保できる、柔軟で信頼性の高いツール

Paramount先進エネルギー発生器 - 信頼性を高め、プラズマの安定性を増大

自動圧力制御 - 非常に高速で正確な圧力制御が可能

デュアルCMゲージ・スイッチング - 2つのレンジの異なる容量型圧力計を活用し、単一の圧力バルブの制御が可能

液体窒素自動切り替えユニット - 液体窒素(LN2)とチラー冷媒の間で、テーブル冷媒を自動的に切り替えることが可能

TEOS 液体レベルセンサー - TEOS容器に適合した、超音波レベルセンサー

広温度範囲電極 - 設計を著しく改善し、プロセス性能を向上

その他アプリケーション

太陽光発電技術量子情報処理発光デバイスの製造と評価

今後のイベント

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