PlasmaPro 100 ICPCVD

このICPCVDプロセスモジュールは、低成膜温度で高品質の薄膜を製造するように設計されており、低損傷の優れた薄膜特性を達成する、高密度のリモートプラズマによって実現します。

低温度において、低損傷の優れた品質の薄膜
デポジション可能な代表的な材料:5℃までの低温度基板による、 SiO₂、Si₃N₄ と SiON、Si と SiC
ICP源のサイズ65mm、180mm、300mmで、最大200mmのウェハーについて均質な製造が可能
5ºCから400ºCまでの温度範囲に対応可能な電極
ICPCVDのガス分布に関する特許技術
エンドポイント検知可能な、その場チェンバー洗浄
柔軟な気相供給モジュールを装備し、例えば、TTIPを使って TiO₂ 、TEOSを使って SiO₂ のように、液体原料プリカーサーを用いた薄膜デポジションが可能

SiO₂ deposited using TEOS and O₂ by ICP CVD in ~50μm deep trench 4:1 aspect ratio

SiNx deposited by ICP CVD at room temperature for 22nm T-gate HEMT

Wall heating reduces chamber wall deposition
Helium backside cooling with mechanical clamping ensures uniform wafer temperatures & optimised film properties

オックスフォード・インストゥルメンツは、総括的で柔軟な信頼できる、グローバルなお客様サポートをお約束しています。お客様のシステムが稼働している期間、高品質のサービスを提供します。

アップグレード・アクセサリー

ガスポッド - 追加のガスラインを組み込み、柔軟性を高めることが可能

Logviewer ソフトウェア - データログのソフトウェアであり、リアルタイムでグラフ化するとともに、処理後の解析も可能

光学エンドポイント検出器 - 最適なプロセス実績を達成するために重要なツール

ソフトポンプ - 真空チェンバーのポンプ速度を低減することが可能

ターボ分子真空ポンプ - 優れた排気速度と、高いスループットを提供

X20 コントロールシステム - システムのインテリジェンスを高め、将来の互換性が確保できる、柔軟で信頼性の高いツール

Advanced Energy社製Paramountジェネレータ - 信頼性を高め、プラズマの安定性を向上

自動圧力制御 - 非常に高速で正確な圧力制御が可能

デュアルCMゲージ・スイッチング - 2つのレンジの異なる容量型圧力計を活用し、単一の圧力バルブの制御が可能

液体窒素自動切り替えユニット - 液体窒素（LN2）とチラー冷媒の間で、テーブル冷媒を自動的に切り替えることが可能

TEOS 液体レベルセンサー - TEOS容器に適合した、超音波レベルセンサー

広温度範囲電極 - 設計を著しく改善し、プロセス性能を向上