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PlasmaPro 100 Polaris ICP RIE

PlasmaPro 100 Polaris 枚葉式 ICP RIE エッチング装置は、お客様の競争力を維持するために必要な、卓越したエッチング品質を実現するスマートなソリューションを提供します。GaN、SiC、サファイアなどの材料のエッチングに関して豊富な経験から、当社の技術によりデバイスの性能を最大限に引き出すために必要な所有コストと歩留まりを実現することができます。現在、開発が進められているSiCトレンチ型パワーデバイスにも有効的なシステムです。

  • 優れたエッチング速度

  • 低所有コスト

  • 耐薬品性に特化した設計

  • 優れたエッチング均一性

  • サファイアをクランプすることができる、独自の静電クランプ技術

  • サファイアまたはシリコン基板上における GaN のプロセスが可能

  • 高い排気速度のポンプシステム

  • 他のPlasmaProシリーズとクラスター化が可能


お問い合わせ

PlasmaPro 100 Polaris は、高い競争力を維持するために必要なエッチング性能により、スマートなソリューションを提供する枚葉式エッチングシステムです。

GaN、サファイア、SiC などの高硬度材料のエッチングに必要な耐薬品性に特化して設計された PlasmaPro 100 Polaris では、最大 200 mm 径のウェハに対して高速かつ均一なエッチングを行うことができます。

アクティブ冷却電極 - エッチングプロセス中のサンプル温度管理が可能

高出力 ICP ソース - 高密度プラズマの生成

信頼性の高いハードウェアと保守性の高さ - 優れた稼働率を実現

マグネット式スペーサー - イオンコントロールと均一性の向上

独自の静電クランプ技術 - サファイア基板、 GaNが成膜されたサファイア基板やシリコン基板のクランプが可能

ヒーター付きチャンバーライナー - チャンバー内壁のデポジションを低減するために最適化

アドバンスト オートマッチング ユニット(AMU) - 高速で効率的かつ正確なマッチングが可能で、優れたプロセス再現性を実現

  • RFデバイス SiC ビアホール エッチング
  • パワー半導体デバイス SiC トレンチエッチング
  • 高輝度 LED GaN エッチング
  • RF デバイス GaN エッチング
  • PSS (Patterned Sapphire Substrate) エッチング
  • SiO2 や石英のエッチング
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グローバルな、お客様サポート

オックスフォード・インストゥルメンツは、総括的で柔軟、かつ信頼できる、グローバルなお客様サポートをお約束しています。お客様のシステムが稼働している期間、高品質のサービスを提供します。

  • 遠隔診断ソフトウェアにより、迅速で簡便な欠陥診断と問題解決を実現します。
  • ご予算と状況に合わせた、サポート契約も用意しております。
  • 迅速な対応のため、戦略的場所にグローバルに予備品を揃えています。
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NEW: PTIQ ソフトウェア

PTIQ は、PlasmaPro および Ionfab プロセスシステム用の最新のインテリジェントソフトウェアソリューションです。

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