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PlasmaPro 100 Polaris ICP

単一ウェハーのエッチング技術の進化

当社は、GaNやSiC、サファイアなどの材料に関する広汎な経験により、所有コストおよび必要な歩留まりを確保し、お客様のデバイス性能を最大化します。

単一ウェハーPlasaPro 100 Polarisエッチングシステムは、お客様が競争力を維持するのに必要な、優れたエッチング結果を実現する、スマートなソリューションを提供します。

  • 優れたエッチング速度

  • 低所有コスト

  • 特に、過酷な化学系用途に設計

  • 優れたエッチング均質性

  • サファイアをクランプすることができる、独自の静電クランプ技術

  • サファイアまたはシリコン上のGaNの処理が可能

  • 高い排気速度のポンプシステム

  • 他のPlasaProシリーズとクラスター化が可能


お問い合わせ

PlasaPro 100 Polarisは、特に、GaNやサファイア、SiCのように、エッチングが難しい材料に関わる、過酷な化学系に向けて設計されており、最大200mm直径までのウェハーにおいて、高いエッチング速度を均質に実現します。

The PlasmaPro 100 Polaris single wafer etch system offers smart solutions to produce the etch results you need to maintain your competitive edge.

Actively cooled electrode - Maintains sample temperature during etch process

High power ICP source - Produces high density plasmas

Reliable hardware and ease of serviceability - Excellent uptime

Magnetic spacer - Enhanced ion control and uniformity

Exclusive electrostatic clamp technology - Capable of clamping sapphire, GaN on sapphire and silicon

Heated chamber liners - Optimised to reduce chamber wall deposition

Advanced auto matching unit (AMU) - Allows fast, efficient and accurate matching, enabling excellent process repeatability

  • RF device SiC Via hole etch
  • Power Semiconductor Device SiC feature etch
  • HBLED GaN etch
  • RF device GaN etch
  • Patterned Sapphire Substrate (PSS) Etch
  • SiO2 and quartz etch
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グローバルな、お客様サポート

オックスフォード・インストゥルメンツは、総括的で柔軟、かつ信頼できる、グローバルなお客様サポートをお約束しています。お客様のシステムが稼働している期間、高品質のサービスを提供します。

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