PlasmaPro ASP

Atomfabとプラットフォームを共有したPlasmaPro ASP により、高速かつ低ダメージのリモートプラズマ ALD が実現します。リモートプラズマ ALD は、サーマルALD やダイレクトプラズマALDと比較して優れたデバイス性能をもたらすことが可能となります。迅速なガス交換のため有効チャンバー容積をコンパクト化し、200mmウェハ全体のプロセスが可能です。

高速リモートプラズマソース
- 高密度かつ均一なラジカルと低イオンエネルギーによる低ダメージおよび急速飽和
- PLCおよびAMU制御により、迅速なプロセスが可能
優れたプリカーサーとプロセスの制御
- 最大6個のプリカーサー（バブリングまたは蒸気式）

ウェハ電極
- 200 mm ウェハ電極（バイアス付）
- 最高 400 °C まで対応するデポジション温度
- チャンバー内を 200 °C に加熱可能
制御系
- 容易なメンテナンスおよびシンプルな電気接続
- 保守サービスのための診断機能の向上
- 一体化されたエレクトロニクス

パワーエレクトロニクスやRFデバイス向け低ダメージ GaN HEMT パッシベーション層

量子デバイスに最適。高速サイクルタイムを実現したオールメタル・プラズマソースを用いた低酸素濃度導電性窒化物

データ通信アプリケーション向け低ダメージ封止型グラフェン

画像（上）：アスペクト比8:1のトレンチに成膜された130nmのコンフォーマル超伝導NbN。PlasmaPro ASPを使用。

画像（左）：アスペクト比32:1のトレンチに成膜された450nmのコンフォーマルSiO₂。PlasmaPro ASPを使用。

仕様	PlasmaPro ASP
プリカーサーライン	最大 6 (任意の組み合わせが可能)
プリカーサー量 (ml)	200
プリカーサータイプ	蒸気式 - 冷却型蒸気式 - 加熱型バブリング – 加熱型
ハンドリング	ロードロック
ガスポッド	4 プロセス + 1 Ar (オンボード)
電極	400 °C （グラウンド・バイアスの両方）
ポンプ	600 m³/時
遵守事項	UL Standard, Designed for SEM 2S
ソフトウェア	PTIQ
PEALD プロセスライブラリ	Al₂O₃, SiO₂, NbN, TiN など

Case Study

We collaborate for over 15 years with Eindhoven University of Technology (TU/e) and together we continue to make significant progress in Atomic Layer Deposition (ALD) research which is one of the most rapidly evolving techniques used in many applications of nanofabrication.

We are very pleased to present the research projects of two PhD students from TU/e who have used Oxford Instruments’ FlexAL ALD system featuring a remote inductively coupled plasma source, enabling high-quality deposition. Using advanced plasma ALD technology, Karsten Arts has achieved conformal deposition on high aspect ratio features and Marc Merkx has achieved highly selective growth of Titanium Nitride (TiN).