ICPエッチングシステム

PlasmaPro 100 シリーズのエッチングおよびデポジションのツールは、多様な基板電極に適応でき、広範囲の温度に渡るプロセスが可能です。200 mmサイズのプラットフォームにより、単一ウェハーおよび複数ウェハーのバッチ処理ができます。このプロセスモジュールは、優れた均質性および高スループット高精度のプロセスを実現します。

単一ウェハーのエッチング技術の進化 当社は、GaNやSiC、サファイアなどの材料に関する広汎な経験により、所有コストおよび必要な歩留まりを確保し、お客様のデバイス性能を最大化します。 単一ウェハーPlasaPro 100 Polarisエッチングシステムは、お客様が競争力を維持するのに必要な、優れたエッチング結果を実現する、スマートなソリューションを提供します。

PlasmaPro 80 ICP は、コンパクトな省スペースのシステムであり、多様なICPエッチングを、使い易い大気装入方式で実現します。設置や使用は簡単ですが、プロセスの品質はそのままです。大気装入設計は、迅速なウェハー装入と抽出を可能にし、研究やプロトタイプ、少量生産に理想的です。最適化された電極冷却および優れた基板温度の制御により、高性能プロセスを実現します。