シリコンカーバイド SiC

ウェハサイズ: &nbsp;最大 200mm 300mm ウェハの場合はお問い合わせください
バッチサイズ: &nbsp;最大 6x2" 製品: &nbsp; PlasmaPro 100 ICPCVD

シリコンカーバイド (SiC) は、高電力用途デバイスに対して適した電子的および物理的特性を有しています。また、高速スイッチング、高出力RFデバイスを可能にする高品質の窒化ガリウム (GaN) を成長させるための基盤としても使用されます。SiC は誘導結合プラズマエッチング (ICP) を使用してエッチング、プラズマ CVD (PECVD) や誘導結合プラズマ CVD (ICPCVD) によりデポジションが可能です。