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プラズマエッチングは、私たちが日常的に利用している多くのテクノロジーを支えている、現代に欠かせないツールだといえるでしょう。例えば、スマートフォンはプラズマエッチングの技術なしには実現し得なかったでしょう。プラズマエッチングは、nm スケールから 100 μm スケールの微細構造を、あらゆる材料に形成することができる技術です。
プラズマエッチングの先端技術の1つが、ICP-RIEです。プロセス特性として、多くの利点があります。
形状制御に関するメリット：ムーアの法則によって、デバイスの限界寸法（CD）は、ゆうに1ミクロン以下に小さくなっています。垂直または水平に同一方向にエッチングしていくような形状の場合、デバイスがそのようなサイズで密に配列していると、直ぐお互いに鉢合わせになってしまうでしょう。
ICP-RIE プラズマエッチングは、垂直形状を完全に作ることができ、CDをしっかりと維持することができます。まさしくこの理由のため、ウェットエッチングではなく、ICP-RIEが広く用いられるのです。
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ICP RIEを用いた、シリコン深堀りエッチング
ガリウムヒ素基垂直共振器面発光レーザーVCSELのエッチングプロセス
RIEによるプラズマエッチングは、何十年も広く用いられています。その性能は、ICP-RIEにはかないませんが、簡便な技術であって多くの用途には充分効果を発揮します。
例えば、誘電体マスクのプラズマエッチングは、通常、高速度を必要としないので、RIEは充分な垂直度を実現し、優れたマスクを製作することができます。
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二酸化ケイ素 (SiO2) のRIEエッチング
PEエッチングは、プラズマエッチングの中で、最も方向性に乏しいソリューションです。従って、微細で垂直な形状を作り込むには不向きですが、アンダーカットが許容される、高選択性の等方プロセスに用いられ、どのような基板材料に対しても大面積を削り込む場合に有効です。
プラズマエッチングは、高度で柔軟な技術であり、広範囲のデバイスを作製するのに用いられます。
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PEエッチングを用いた故障解析
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