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シリコンカーバイド SiC

シリコンカーバイド (SiC) は、高電力用途デバイスに対して適した電子的および物理的特性を有しています。また、高速スイッチング、高出力RFデバイスを可能にする高品質の窒化ガリウム (GaN) を成長させるための基盤としても使用されます。SiC は誘導結合プラズマエッチング (ICP) を使用してエッチング、プラズマ CVD (PECVD)誘導結合プラズマ CVD (ICPCVD) によりデポジションが可能です。

 

プロセスの専門知識を活用して、欠陥のない表面で高いエッチング速度を実証しました。RF デバイスの Via エッチングで、下層に対する優れた選択性が達成されています。パワーデバイス向けエッチング形状から、過剰なエッチングの無い良好なプロファイル制御が行われていることがわかります。

ICP エッチングについて お問い合わせ

競争力のあるエッチング速度で欠陥のないエッチング表面を実現するために、プロセスが最適化されています。

RIE について お問い合わせ

100%シランや希釈したシランなど、様々な化学薬品を使用できます。
良好に応力コントロールされた高均一性薄膜形成
PH3, B2H6, TMB, TMP を用いたドーピング

  • ウェハサイズ: 最大 200mm
    300mm ウェハの場合はお問い合わせください
  • バッチサイズ: 最大 6x2"
ICPCVD について お問い合わせ

100%シランや希釈したシランなど、様々な化学薬品を使用できます。
良好に応力コントロールされた高均一性薄膜形成
PH3, B2H6, TMB, TMP を用いたドーピング

PECVD について お問い合わせ