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Semi Interface 2025 Spring

AIはエネルギーとデバイスに対して飽くなき欲求を示している。

第2号のSemi Interfaceマガジンへようこそ。今回も世界中のテクノロジーの専門家たちが参加し、この号では光電子工学とデータ通信の世界に関する興味深い洞察を共有しています。

著者は、データ通信市場が現在経験している大きな変化について深く掘り下げ、データ送受信デバイスの需要の急激な増加に対応するために必要な技術の進歩について論じています。データ通信、microLED、拡張現実など、市場と技術に関する専門知識が満載のこの雑誌を、以下から無料で入手 いただけます。※英語版です。

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セミインターフェース 2025年春

編集


ラマン分光法により、ダモン・ストームが複雑な材料の組成を明らかにする

Oxford Instruments の Damon Strom 氏、Judith Beer 博士、Thomas Meyer 氏が、化合物半導体の材料特性を理解する上で、ラマン分析の重要性および価値について論じています。さまざまな材料に関する複数の調査から得られた興味深い結果を紹介し、2D および 3D 視覚化によって洞察を提供しています。

結晶性窒化ガリウム(GaN)のフランク・リード(FR)光源。(A) GaN の FR 光源の Brightfield 画像。(B) xy 平面における E2(high) ピーク位置のラマン画像。

Dr-Eng. S.K. Muradによる革新的な6インチInPスケーラブルウェハファブ

データセンター需要とAIアプリケーションの進展に伴い、Dr.-Eng. S.K. ムラド(テクノロジーコンサルタント兼マネージングディレクター)は、InP ウェハの未来を見据えています。彼は6インチInPスケーラブルウェハの製造技術、 その課題、および6インチウェハのグローバルな普及に向けた今後の道筋について 探求しています。

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「6インチ インジウムリン(InP)ウェハへの移行は、半導体業界において企業を競争優位な立場に置きます。」


ニュース


ロバート・クインによる「グローバルデータセンターのエネルギー課題」

ロバート・クイン氏は、Quinns Media の製品マーケティングおよび事業開発エキスパートです。彼は、データトラフィックの膨大な増加により、世界中のデータセンターが機能上の限界に達しつつある一方で、極低温 SOI CMOS トランジスタの導入がデータ通信の未来に革命をもたらす可能性について論じています。

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「画期的な技術である 極低温 SOI CMOS トランジスタは、データセンターと量子コンピューティングの未来に革命をもたらす鍵となるかもしれません。


特集


インジウムリン化物(IP)の自動化技術によるブームの革新——エマ・コールマン博士

Oxford Instruments のアプリケーションおよびマーケティングチーム、Ligang Deng 博士、Reasat Fahim 博士、Emma Coleman 博士が、現在のデータ通信ブームと産業オートメーションの必要性について議論しています。AI や自動運転などの技術革新の急進的な進展に対応するためには、データセンターインフラの品質と量の双方を強化する方法を見出さなければなりません。その点で、InP は大きな役割を果たすでしょう。

聖杯 – 堅牢な高量産(HVM)インジウムリン(InP)自動化加工ソリューション

ヨール・グループによるARの深掘り分析(ラファエル・メルメ・リャウドゥオ博士)

Yole Group のディスプレイ部門テクノロジーおよび市場アナリスト、ラファエル・メルメ・リャウドズ博士が、拡張現実(AR)の世界に関する専門的な見解を語ってくれました。具体的には、AR 用の垂直および傾斜したグレーティング、および microLED を搭載した AR ヘッドセットの用途についてお話しています。

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「最新の microLED マイクロディスプレイは 、非常に小型のパッケージで数百万ニットの輝度を実現しています。」


ヨール・グループによるデータ通信の深掘り分析(Dr. エズギ・ドグムス)

Dr. Ezgi Dogmusは、Yole Groupの複合半導体部門のアクティビティマネージャーとして、データ通信の未来に関する専門的な分析でシリーズを締めくくります。彼女は、光複合半導体基板市場においてInPがGaAsに対して持つリーダーシップが現在の市場動向に与えている影響について説明し、データ通信の新たなブーム時代を迎える中、この傾向が当面続くことを指摘しています。

「インジウム(InP)において、AIブームが 需要を主流の3インチ基板から直接 6インチ基板への移行を促進しています。」


新興技術向けエネルギー効率の高い RF パワーアンプにおける GaN、Ehsan Azad 博士

CSA Catapult のシニア RF およびマイクロ波エンジニアである Ehsan Azad 博士が、RF とフォトニクスを橋渡しする GaN パワーアンプに関する専門知識について語ります。その幅広い用途について、Azad 博士は、GaN テクノロジーの助けを借りて、高性能、低消費、信頼性の高いデバイスを実現する方法について論じています。

GaN HEMT におけるトラップの位置には、主に 2 種類あります。1 つは、主に AlGaN/パッシベーション層、GaN/基板、および AlGaN/GaN 界面に見られる界面トラップ、もう 1 つは、バッファ層およびバリア層内のバルクトラップです。

インタビュー


インターフェースの進化の輪が閉じる:第2部 著者:アイルーン・オマホニー博士とポール・ハーリー教授

Oxford Instruments の原子スケール加工製品マネージャー、アイリーン・オマホニー博士と、ティンドール国立研究所のナノエレクトロニクス材料・デバイスグループ長、コーク大学化学部の半導体技術 META 主席教授であるポール・ハーレー教授による、興味深く楽しいインタビューの第 2 弾へようこそ。前回の号では、シリコン(Si)の歴史と界面の重要性について議論されました。今回の号では、現在と未来に焦点を当て、シリコンを超えた材料と、ティンダル研究所のハーリー教授の研究グループが行っている研究の一部について議論されます。

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「この界面移行層は、 すべての主要な欠陥が存在し、明確に定義された界面が もはや有効でなくなったことを意味します。」


粘り強い体系的な破壊、計画に従い、問題に粘り強く取り組む クラース・ヴィスニエフスキー

当社の執行役員であるクラース・ヴィスニエフスキーは、コヒーレント・コーポレーションの元会長兼CEOであるチャック・マテラ博士と対談する機会を得ました。チャック氏は多忙なスケジュールにもかかわらず、時間を割いていただき、自身の輝かしいキャリアを振り返り、ビジネスにおける高パフォーマンスの実現に関するご見解を共有してくださいました。また、データ通信市場が今後どのように発展していくかについても、貴重なご見解を述べられました。

チャック・マテラ博士

チャック・マテラ博士


高度な半導体デバイス製造において、高速かつ高精度な測定技術が不可欠ですクリスチャン・ラング博士

クリスチャン・ラング博士、マネージングディレクター Oxford Instruments の材料分析事業担当マネージングディレクターであるクリスチャン・ラング博士が、 高度な計測手法に関する専門知識と、それが 次世代の半導体製造に欠かせない要素である理由について、その見識を語ってくれました。 電子後方散乱回折から原子間力顕微鏡、ラマン 分光法に至るまで、ラング博士は材料分析の重要性と、 Oxford Instruments が顧客に幅広い優れた計測 製品を提供している理由について語っています。

Jupiter XR Asylum Research 大型サンプル AFM

洞察


アンドルー・ニュートン博士による、microLED の今後の課題

Oxford Instruments Plasma Technology の新製品 ソリューションマネージャー、アンドリュー・ニュートン博士が、 原子層エッチング (ALE) がテクノロジーの世界にもたらす可能性について、 microLED に焦点を当てて探ります。高性能デバイスでは、サイドウォールの滑らかさが不可欠です。 等方性 ALE は、その実現に向けて魅力的な 成果を上げ、成功の鍵となる可能性を秘めています。

損傷を受けた n-GaN メサの(カソード)発光に対する等方性 ALE の影響

量子技術を実現する ウォラディック・ハートマン博士

当シリーズの最終回では、次号の「Semi Interface」特集テーマである「量子技術」について、その概要に触れていきます。Pixel Photonicsの共同マネージングディレクター兼CTOであるWladick Hartmann博士は、画期的な超伝導ナノワイヤー単一光子検出器(SNSPDs)について解説し、その卓越した性能特性が光集積回路(PICs)にどのように活用できるかを説明します。また、Pixel Photonicsが取り組む驚異的な研究開発について触れ、量子技術の未来を築くための同社のコミットメントについても語っています。

引用符

「Pixel Photonicsでは、 波導統合型SNSPDの開発に特化しており、 単一光子検出の新たな基準を確立したデバイスを提供しています。」


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