White Paper
GaN パワーエレクトロニクス向け ALD (原子層堆積) および ALE (原子層エッチング) 技術

GaN パワーエレクトロニクスは、電力変換や電力供給向けに開発が進められています。EV (電気自動車) やハイブリッド車などの電力系において、これらのデバイスの重要性はますます高まり、デバイスのコストおよび効率はその成長に不可欠となっています。GaN の高い移動度と耐圧性は、現在、パワーデバイスに理想的な材料の一つと考えられています。

特に、AlGaN/GaN 界面で形成される二次元電子ガス (2DEG) により、高効率デバイスが実現されることが期待されています。しかしながら、オフ状態にするためにはゲートに負の電圧を印加する必要があります。このような「Dモード」または「ノーマリーオン」デバイスにおいては、安全設計基準を満たしていないため「Eモード」または「ノーマリーオフ」デバイスの開発が強く望まれています。

このようなデバイス製造には、いくつかの手法があり、AlGaNバリア層のリセスエッチングが有力と考えられています。さらに、リーク電流を抑制するためにゲート絶縁層が必要とされています。

Author

Dr Mark Dineen
Technical Marketing Manager, Oxford Instruments Plasma Technology