White Paper

InP レーザーダイオード デバイス製造：パフォーマンス最大化に向けたプラズマデポジション

Author

Dr Mark Dineen
Technical Marketing Manager, Oxford Instruments Plasma Technology

InP は、ワイドバンドギャップと高い電子移動度を併せ持つ特性を有するため、光電子デバイスの製造に最適な半導体として知られています。主なアプリケーションは通信であり、データ通信量の増加に伴い急速に拡大しています。この InP を用いるプロセスにより、より多くのデータを処理できる高周波数で動作するデバイスの製造が実現します。特に、優れた機能性を競争力のある価格で提供できるという点で、レーザーダイオードの製造に非常に優れたメリットがあります。設計と製造が最適化された場合、InP レーザーは広い温度範囲にわたって高いスペクトル純度と光出力を示します。

さらに、1100 ～ 2000 nm の波長範囲は光ファイバー通信に最適となります。そのため、 InP レーザーの製造における費用対効果の高いプロセス手法を確立することは、データ転送の需要の高まりに対応する通信技術の進歩に対し直接的に関与することになります。

本ホワイトペーパーでは、 InP レーザーダイオードの製造におけるプラズマプロセス技術の役割について、誘導結合プラズマ化学気相成長法（ICPCVD）とプラズマ CVD（PECVD）の相対的なメリットに焦点を当てて解説します。主な目的は、異なるプロセスの関連特性を明らかにし、それらのプロセスを組み合わせることで、高性能レーザーを効率的に製造するために最適な活用方法を提案することです。