White Paper
SiCパワーデバイス製造向けの最先端プラズマプロセスソリューション

オックスフォード・インストゥルメンツのプラズマテクノロジーは、炭化ケイ素（SiC）デバイスの性能を最大限に発揮できるように設計された革新的なプラズマプロセスソリューションを開発しました。

SiCは、パワーデバイス製造にとって他にない優れた特性を持っており、画期的な性能を実現するために、新しい革新的な技術への応用が進んでいます。ワイドバンドギャップ半導体であるSiCは、高い絶縁破壊電界と高い熱伝導率を備えています。これらの利点により、高温での動作が可能で、小型で軽量、高効率的な技術が要求される産業界のニーズに応えるパワーデバイスの製造が可能になります。SiCパワーデバイスは、電力変換や太陽光発電アプリケーションにおいて、すでにそのメリットを確立し、大きなマーケットを形成しています。近い将来には、電気自動車とハイブリッド車（EVとHV）と、それに関連するインフラが想定さ れています。長期的には、大幅な効率改善の余地は非常に大きく、これらの主要アプリケーション以外にも広がっていくと考えられています。

このホワイトペーパーでは、プラズマプロセスの役割と、デバイスの性能およびアプリケーションのための最適な戦略を決定づけるその重要性について考察します。また、ショットキーバリアダイオード（SBD）や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）などの主要なSiCデバイスの構造についても考察します。

Author

Dr Mark Dineen
Technical Marketing Manager, Oxford Instruments Plasma Technology