ビームすなわち高エネルギーのイオンが、ターゲット材に衝突して原子をスパッターすることにより、原子の気体をサンプル表面に堆積させることができます。
イオンビームデポジションにより作製された薄膜層の、屈折率や光吸収、光散乱、接着性、堆積密度のような特性は、ビーム光束やエネルギーなどのビーム条件の変更や、入射原子とガスフローの方向に対する定盤の角度によって、微調整することができます。
イオンビームデポジションは、イオンビームによる3つの薄膜デポジション、すなわちIBD、RIBD、AIBDの内の1つです。
N2またはO2のような反応性ガスが、チェンバー内に注入されると同時に、デポジションにより薄膜が作製され、酸化物または窒化物としての化学量論比が調整されます。
An assist source can also be used in conjunction with the deposition source to modify the properties of the film as it’s growing.
Ionfab 300 | |
Ion deposition source | 150mm |
Deposited area | Up to 200mm |
Number of targets | Up to 4 targets |
Platen size | Up to 8 inch wafer |
End product detection | Dual Xtal monitors |
Platen rotation | Up to 500rpm |
Platen tilt angle | -90ºC to +75ºC |
Platen heat | Embedded heaters up to 300ºC |
Platen cooling | Helium |
Assist or pre-clean source | 150mm and 300mm RF ion source |