オックスフォード・インストゥルメンツツの一部
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プラズマ励起化学気相堆積 (PECVD)

PECVD は、広範囲の薄膜のデポジションを行う、良く確立した技術であります。多くのデバイスにおいて、高品質のパッシベーションまたは高密度のマスクを作製するのに、PECVDが必要になっています。

ハイライト

  • RF駆動(MHzおよび/またはkHz)の上部電極;RFバイアスの無い下部(基板)電極
  • 基板は加熱電極上に直接配置
  • 上部電極にあるガス注入シャワーヘッドを通じた、プロセスチェンバー内へのガス注入
  • 高低の周波数混合技術により、薄膜の応力制御が可能
  • 通常のCVDと比べ、低温での処理
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    • フォトニクスの構造やパッシベーション、ハードマスクを含めた、広範な用途に対する、SiOx, SiNx や SiOxNy のデポジション
    • アモルファス・シリコン(a-Si:H) 
    • 形に沿った段差被覆、または空洞の無い優れた段差被覆が可能なTEOS SiO2
    • SiC 
    • ダイヤモンドライクカーボン (DLC)下記を含めた、広範な材料のデポジションが可能:
  • 物理的/化学的なチェンバー洗浄の必要性を排除または低減する、エンドポイント制御が可能なプラズマ洗浄プロセス
  • プロセス条件による、薄膜の化学量論比の制御

PlasmaPro 80 
PlasmaPro 800
PlasmaPro 100
PlasmaPro 1000
Electrode size
240mm 460mm 240mm 490mm
Substrates Up to 240mm diameter, multi-wafers or small pieces Up to 460mm diameter, multi-wafers or small pieces Up to 200mm diameter with carrier options available for multi-wafers or small pieces Up to 490mm diameter with carrier options available for multi-wafers or small pieces
Dopants No No Various dopants available which include PH<sub>3</sub>, B<sub>2</sub> H<sub>6</sub>, GeH<sub>4</sub> Various dopants available which include PH<sub>3</sub>, B<sub>2</sub>H<sub>6</sub>, GeH<sub>5</sub>
Liquid Precursors No Yes: TEOS
MFC controlled gas lines
4, 8 or 12 line gas box available
RF Switching for Stress Control Yes
Wafer stage temperature range 20°C to 400°C Standard 20°C to 400°C with option for up to 1200°C Standard 20°C to 400°C
Insitu plasma clean Yes. Endpoint available to ensure optimum clean time
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PECVD Systems