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リアクティブイオンエッチング (RIE)

リアクティブイオンエッチング(RIE)は、一般的なプラズマエッチングとして、簡単に操作できるとともに、経済的なソリューションです。単一のRFプラズマ源により、イオンの密度とエネルギーが決定されます。

RIE

ハイライト

エッチングプロセスの選択肢:

  • 化学エッチング-等方的で高速
  • イオン誘起エッチング-異方的で中間速度
  • 物理エッチング-異方的で低速
  • 半導体の剥離処理および故障解析における広範な応用
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RIE の特長:

  • 固体RF発生器と密接に結合したマッチング・ネットワークによる、高速で正確なエッチング
  • 全面積に渡るガス注入シャワーヘッドによる、均一なガス分布
  • -150℃から+400℃までの電極温度設定
  • 高いポンプ容量による、広範なプロセス圧力ウインドウ
  • Heによる裏面冷却ができるウェハークランプによる、ウェハー温度の最適制御

エッチング可能材料は次のように多岐にわたります:

  • 誘電体材料(SiO2、SiNxなど)
  • シリコン基材料(Si、アモルファスSi、多結晶Si)
  • III-V 化合物(GaAs、InP、GaNなど)
  • スパッター金属(Au、Pt、Ti、Ta、Wなど)
  • ダイヤモンドライクカーボン(DLC)
PlasmaPro 80
PlasmaPro 800
PlasmaPro 100
Electrode size 240mm 460mm 240mm
Loading Open load
Load locked or cassette
Substrates Up to 240mm
Up to 460mm
200mm with carriers options available for multi-wafers or small pieces
MFC controlled gaslines 8 or 12 line gas box available
Wafer stage temperature range -150°C to 400°C
10°C to 80°C -150°C to 400°C
He Back side cooling option Yes No Yes
ICP Option Yes No Yes
Focused Plasma Yes No
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RIE Systems