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リアクティブイオンエッチング (RIE)

リアクティブイオンエッチング(RIE)は、一般的なプラズマエッチングとして、簡単に操作できるとともに、経済的なソリューションです。単一のRFプラズマ源により、イオンの密度とエネルギーを設定することができます。

当社プラズマテクノロジーのRIEモジュールにより、様々なプロセスに異方性ドライエッチングを適用することが可能になります。


RIE

ハイライト

エッチングプロセスの選択肢:

  • 化学エッチング-等方的で高速
  • イオン誘起エッチング-異方的で中速
  • 物理エッチング-異方的で低速
  • 半導体の剥離処理および故障解析など様々なアプリケーション
詳細はこちら カタログダウンロード

RIE の特長:

  • 高速で正確なエッチングを実現するソリッドステートRFジェネレーターおよびそれに結合されたマッチングネットワーク
  • 均一なガス分布を実現する全領域プロセスガス注入シャワーヘッド
  • -150℃から+400℃までの電極温度設定
  • 高いポンプ能力により広いプロセス圧力範囲を実現
  • He裏面冷却が可能なウェハクランプにより、最適なウェハ温度制御が可能

様々な材料のエッチングが可能:

  • 絶縁体材料(SiO2、SiNxなど)
  • シリコン基材料(Si、アモルファスSi、多結晶Si)
  • III-V 化合物半導体(GaAs、InP、GaNなど)
  • スパッタリング用メタル(Au、Pt、Ti、Ta、Wなど)
  • ダイヤモンドライクカーボン(DLC)
PlasmaPro 80
PlasmaPro 800
PlasmaPro 100
電極サイズ 240mm 460mm 240mm
ローディング オープン
ロードロックまたはカセット式
基板 最大 240mm
最大 460mm
200mm  (マルチウェハまたはスモールピース対応キャリアオプション)
MFC制御ガスライン 8ラインまたは12ラインのガスボックスが利用可能
ウェハテーブル温度範囲 -150°C ~ 400°C
10°C ~ 80°C -150°C ~ 400°C
He 裏面冷却オプション Yes No Yes
ICP オプション Yes No Yes
集束プラズマ Yes No

当社は、ロンドン大学 (UCL) の、Oscar Kennedy博士 (UCLQ ポスドク研究員) とWing Ng (上級研究員) に最新の研究プロジェクトと当社のPlasmaPro® 80 RIE システムの使用方法についての感想をお聞きする機会がありました。

Oscar Kennedy 博士は、PlasmaPro RIE システムを使用して超電導 NbN 膜をエッチングして超電導回路を作成しましています。また、Wing Ng 博士は、RIE システムを使用し、一対のチップベースの光バッファ用導波路間に、平滑な側壁の50 nm のギャップを正確にパターン化しました。 詳細については、導入事例をご覧ください。

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RIE Systems

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