リアクティブイオンエッチングとプラズマ励起(RIE-PE)は、単一ツールの中で、2つのシンプルなプラズマ発生技術を組み合わせています。
RIEでは、サンプルがセットされる定盤に加速電圧が負荷され、プラズマからイオンを引き出しますので、方向性が強く高速のエッチングが実現します。PEでは、加速電圧は負荷されませんので、より等方的なエッチングが生じます。
PlasmaPro 80 |
PlasmaPro 800 | |
Electrode size | 240mm | 460mm |
Loading | Open Load | |
Substrates | See product brochure | |
MFC controlled gaslines | 4,8 or 12 line gas box available | |
Wafer stage temperature range | -150ºC to 400ºC |
10°C to 80°C |
He Back side cooling option | Yes | No |
ICP option | Yes | No |
Focused plasma | Yes |