オックスフォード・インストゥルメンツツの一部
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リアクティブイオンエッチング / プラズマ励起 (RIE/PE)

リアクティブイオンエッチングとプラズマ励起(RIE-PE)は、単一ツールの中で、2つのシンプルなプラズマ発生技術を組み合わせています。

RIEでは、サンプルがセットされる定盤に加速電圧が負荷され、プラズマからイオンを引き出しますので、方向性が強く高速のエッチングが実現します。PEでは、加速電圧は負荷されませんので、より等方的なエッチングが生じます。

ハイライト

  • 基板電極冷却
  • 上下電極はRF駆動(56 MHz)
  • 自動切り替え
  • 上部電極にあるガス注入シャワーヘッド
  • 作動パラメータ:ガス流量、圧力、RFパワー
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  • 固体RF発生器と密接に結合したマッチング・ネットワークによる、高速で正確なエッチング
  • 全面積に渡るガス注入シャワーヘッドによる、均一なガス分布
  • -150℃から+400℃までの電極温度設定
  • 高いポンプ容量による、広範なプロセス圧力ウインドウ
  • Heによる裏面冷却ができるウェハークランプによる、ウェハー温度の最適制御

PlasmaPro 80
PlasmaPro 800
Electrode size 240mm 460mm
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MFC controlled gaslines 4,8 or 12 line gas box available
Wafer stage temperature range -150ºC to 400ºC
10°C to 80°C
He Back side cooling option Yes No
ICP option Yes No
Focused plasma Yes
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RIE-PE Systems