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プラズマRIE リアクティブイオンエッチング  (RIE-PE)

プラズマ励起リアクティブイオンエッチング(RIE-PE)は、単一ツールの中で、2つのシンプルなプラズマ発生技術を組み合わせています。

RIEでは、サンプルがセットされる定盤に加速電圧が負荷されプラズマからイオンが引き出されるため、方向性が強く高速のエッチングが実現します。PEでは加速電圧は負荷されないため、より等方的なエッチングが生じます。


Diagram showing RIE-PE system technology

概要

  • 基板電極冷却
  • RF駆動上部(または下部)電極(13.56 MHz)
  • 自動切り替え
  • ガス注入シャワーヘッド(上部電極)
  • 作動パラメータ:ガス流量、圧力、RFパワー
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  • 高速で正確なエッチングを実現するソリッドステートRFジェネレーターおよびそれに結合されたマッチングネットワーク
  • 均一なガス分布を実現する全領域プロセスガス注入シャワーヘッド
  • -150℃から+400℃までの電極温度設定
  • 高いポンプ能力により広いプロセス圧力範囲を実現
  • He裏面冷却が可能なウェハクランプにより、最適なウェハ温度制御が可能

PlasmaPro 80
電極サイズ 240mm
ローディング オープン
基板 カタログ参照
MFC制御ガスライン 4ライン、8ラインまたは12ラインのガスボックスが利用可能
ウェハテーブル温度範囲 -150ºC ~ 400ºC
He 裏面冷却オプション Yes
ICP オプション Yes
集束プラズマ Yes
PlasmaPro 80 RIE
カタログダウンロード

RIE-PE システム

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