ICP RIE エッチングシステム

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE システムでは、高密度誘導結合プラズマを使用して、高速なエッチングレートを実現します。このプロセスモジュールは、GaAs や InP レーザーオプトエレクトロニクス、SiC や GaNのパワーエレクトロニクスや RF デバイス、MEMS やセンサーなど、多くの分野で使用されている、 200 mm までのウェハサイズに対応し、優れた均一性、高スループット、高精度、低ダメージのプロセスを提供しています。

PlasmaPro 100 Polaris 枚葉式 ICP RIE エッチング装置は、お客様の競争力を維持するために必要な、卓越したエッチング品質を実現するスマートなソリューションを提供します。GaN、SiC、サファイアなどの材料のエッチングに関して豊富な経験から、当社の技術によりデバイスの性能を最大限に引き出すために必要な所有コストと歩留まりを実現することができます。現在、開発が進められているSiCトレンチ型パワーデバイスにも有効的なシステムです。

PlasmaPro 80 ICP RIEは、コンパクトで設置面積が小さく、便利なオープンローディングで多目的なICPエッチングソリューションを提供するシステムです。簡単な設置で使いやすく、さらにプロセス品質に妥協はありません。オープンロード設計により、ウェハの迅速なロードとアンロードが可能で、研究、プロトタイプ製作、少量生産に最適です。最適化された電極の冷却機能と優れた基板温度制御により、高性能なプロセスを実現します。