PECVD (プラズマCVD) プロセスモジュールは、優れた均質性と高速のデポジションを実現するように独自に設計されています。屈折率や応力、電気的特性、ウェットエッチング速度のような、薄膜特性を制御できるようになっています。
PlasmaPro 100 PECVD システムは、屈折率、応力、電気特性、ウェットケミカルエッチング速度などの膜特性を制御し、優れた均一性を持つ高品質な薄膜製造用の特別に設計されたシステムです。当社の最先端のプラズマ CVD システムは、絶縁膜のパッシベーション(例:SiO2、SixNy)、炭化ケイ素、アモルファスシリコン、ハードマスク蒸着、反射防止コーティングに適しています。
PlasmaPro 800は、プラズマ励起化学気相堆積(PECVD)プロセスの柔軟なソリューションを、大きなウェハバッチと300mmウェハにおいて、コンパクトな専有面積かつオープンロードシステムで実現します。大きなウェハテーブルにより、製造レベルのバッチ処理および300mmウェハの取り扱いを可能にします。
PlasmaPro 80は、コンパクトな省スペースのシステムであり、多様なエッチングとデポジションのソリューションを、使い易いオープンロード方式で実現します。このオープンロード方式は設置や使用が簡単で、プロセスの品質が損なわれることはありません。また、迅速なウェハの設置と取り出しを可能にし、研究やプロトタイプ、少量生産に理想的なシステムです。最適化された電極冷却および優れた基板温度制御により、高性能プロセスを実現します。