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PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE システムでは、高密度誘導結合プラズマを使用して、高速なエッチングレートを実現します。このプロセスモジュールは、GaAs や InP レーザーオプトエレクトロニクス、SiC や GaNのパワーエレクトロニクスや RF デバイス、MEMS やセンサーなど、多くの分野で使用されている、 200 mm までのウェハサイズに対応し、優れた均一性、高スループット、高精度、低ダメージのプロセスを提供しています。

当社のイオンビームデポジション製品は、高品質で高密度かつ滑らかな表面を持つ、薄膜デポジションを実現することで、選んでいただいています。イオンビーム技術は、単一ツールで最大限のシステム活用が可能で、エッチングやデポジションに対して、非常に多様な手法を提供できます。当社のシステムには、大気装入、単一基板真空予備室、そしてカセット交換方式を含む、柔軟なハードウェアのオプションがあります。システムの仕様は、用途に合わせて綿密に調整され、迅速かつ再現性のある結果を実現します。

PlasmaPro 80 リアクティブイオンエッチング（RIE）は、コンパクトな省スペースのシステムであり、多様なエッチングとデポジションのソリューションを、使い易い大気装入方式で実現できます。設置や使用が簡単ですが、プロセスの品質はそのままです。大気装入設計は、迅速なウェハー装入と抽出を可能にし、研究やプロトタイプ、少量生産に理想的です。最適化された電極冷却および優れた基板温度の制御により、高性能プロセスを実現します。

PlasmaPro 100 PECVD システムは、屈折率、応力、電気特性、ウェットケミカルエッチング速度などの膜特性を制御し、優れた均一性を持つ高品質な薄膜製造用の特別に設計されたシステムです。当社の最先端のプラズマ CVD システムは、絶縁膜のパッシベーション（例：SiO2、SixNy）、炭化ケイ素、アモルファスシリコン、ハードマスク蒸着、反射防止コーティングに適しています。

PlasmaPro 100 RIE モジュールにより、広範なプロセスに対応した等方性・異方性ドライエッチングが実現します。研究および製造のお客様に適しており、ロードロックおよびカセット方式オプションにより、プロセスの再現性を向上させる制御環境を提供します。