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PlasmaPro 100 Estrelas プラットフォームは、ディープシリコンエッチング（DSiE）用途に対して、全体的な柔軟性を実現するように設計されており、Micro Electro Mechanical Systems（マイクロ電気機械システム、MEMS）、そして先進パッケージとナノ技術市場全般といった、多様な必要プロセス条件に対応できます。PlasmaPro…

PlasmaPro 800 RIE は、リアクティブイオンエッチング（RIE）プロセスの柔軟なソリューションを、大きなウェハーバッチと300mmウェハーにおいて、コンパクトな専有面積かつ大気装入システムで実現します。大きなウェハー定盤により、製造レベルのバッチ処理および300mmウェハーの取り扱いを可能にします。

The PlasmaPro 80 リアクティブイオンエッチング（RIE）は、コンパクトな省スペースのシステムであり、多様なエッチングとデポジションのソリューションを、使い易い大気装入方式で実現できます。設置や使用が簡単ですが、プロセスの品質はそのままです。大気装入設計は、迅速なウェハー装入と抽出を可能にし、研究やプロトタイプ、少量生産に理想的です。最適化された電極冷却および優れた基板温度の制御により、高性能プロセスを実現します。

FlexALシステムは、単一のALDシステムにおいて、リモートプラズマ原子層堆積（ALD）プロセスおよび熱ALDを実現し、ナノスケール構造およびデバイスの製造において、新しい柔軟性と性能範囲を提供します。

CVD/PECVDは、1D/2Dのナノ材料とヘテロ構造の成膜に適したツールです。Nanofabは、その場触媒活性化と厳格なプロセス制御により、ナノ材料の高い成膜特性を実現します。

The PlasmaPro 100 RIEモジュールは、広範囲のプロセスにおける、異方性ドライエッチングを実現します。

PlasmaPro 80は、コンパクトな省スペースのシステムであり、多様なエッチングとデポジションのソリューションを、使い易い大気装入方式で実現します。設置や使用が簡単ですが、プロセスの品質はそのままです。大気装入設計は、迅速なウェハー装入と抽出を可能にし、研究やプロトタイプ、少量生産に理想的です。最適化された電極冷却および優れた基板温度の制御により、高性能プロセスを実現します。

最大面積におけるエッチングとデポジションが可能な製造ソリューションです。

The PlasmaPro 100 シリーズのエッチングおよびデポジションのツールは、多様な基板電極に適応でき、広範囲の温度に渡るプロセスが可能です。200 mmサイズのプラットフォームにより、単一ウェハーおよび複数ウェハーのバッチ処理ができます。このプロセスモジュールは、優れた均質性および高スループット高精度のプロセスを実現します。

当社のイオンビームデポジション製品は、高品質で高密度かつ滑らかな表面を持つ、薄膜デポジションを実現することで、選んでいただいています。イオンビーム技術は、単一ツールで最大限のシステム活用が可能で、エッチングやデポジションに対して、非常に多様な手法を提供できます。当社のシステムには、大気装入、単一基板真空予備室、そしてカセット交換方式を含む、柔軟なハードウェアのオプションがあります。システムの仕様は、用途に合わせて綿密に調整され、迅速かつ再現性のある結果を実現します。

イオンビームエッチングは、優れた均質性を持ちながら最大の柔軟性を有し、広範な用途分野に適しています。当社のシステムには、大気装入、単一基板真空予備室、そしてカセット交換方式を含む、柔軟なハードウェアのオプションがあります。システムの仕様は、用途に合わせて綿密に調整され、迅速かつ再現性のある結果を実現します。

PlasmaPro 80は、コンパクトな省スペースのシステムであり、多様なエッチングとデポジションのソリューションを、使い易い大気装入方式で実現します。設置や使用が簡単ですが、プロセスの品質はそのままです。大気装入設計は、迅速なウェハー装入と抽出を可能にし、研究やプロトタイプ、少量生産に理想的です。最適化された電極冷却および優れた基板温度の制御により、高性能プロセスを実現します。

単一ウェハーのエッチング技術の進化

当社は、GaNやSiC、サファイアなどの材料に関する広汎な経験により、所有コストおよび必要な歩留まりを確保し、お客様のデバイス性能を最大化します。

単一ウェハーPlasaPro 100 Polarisエッチングシステムは、お客様が競争力を維持するのに必要な、優れたエッチング結果を実現する、スマートなソリューションを提供します。

次世代の半導体デバイスを実現するために、薄膜がより薄くなるにつれて、このような薄膜層を生成し制御する、より高精度なプロセス制御技術が必要になっています。PlasmaPro 100 ALEは、下記のような特別なハードウェアにより、これを可能にしています:

• ガス注入の高精度制御
• 低RF出力供給による、優れた再現性
• 高速PLCによる、高速スイッチング

これらの要素が統合されて、原子スケールの高精度エッチングが可能になっています。

PlasmaPro 800は、プラズマ励起化学気相堆積（PECVD）プロセスの柔軟なソリューションを、大きなウェハーバッチと300mmウェハーにおいて、コンパクトな専有面積かつ大気装入システムで実現します。大きなウェハー定盤により、製造レベルのバッチ処理および300mmウェハーの取り扱いを可能にします。

PECVDプロセスモジュールは、優れた均質性と高速度の成膜を実現するように独自に設計されており、屈折率や応力、電気的特性、湿式化学エッチング速度のような、薄膜特性を制御できるようになっています。