Ionfab 300 IBD

当社のイオンビームデポジション製品は、高品質で高密度かつ滑らかな表面を持つ、薄膜デポジションを実現することで、選んでいただいています。イオンビーム技術は、単一ツールで最大限のシステム活用が可能で、エッチングやデポジションに対して、非常に多様な手法を提供できます。当社のシステムには、大気装入、単一基板真空予備室、そしてカセット交換方式を含む、柔軟なハードウェアのオプションがあります。システムの仕様は、用途に合わせて綿密に調整され、迅速かつ再現性のある結果を実現します。

複数のモード機能
他のプラズマエッチングやプラズマデポジションのツールとのクラスター化が可能
単一ウェハー真空予備室またはクラスター方式ウェハー取り扱い
デュアルビーム配置
薄膜表面粗さが非常に小さい
他に類のない、バッチ均質性およびプロセス再現性
正確なエンドポイント検知－SIMS、発光分析

お問い合わせ

高品質薄膜 - 非常に少ない汚染
小さな専有面積で高スループット - 低操業コスト
白色光学モニター設計を装備した、高速基板ホルダー（最大500RPM）の特許技術 - 非常に正確な、その場光学薄膜制御が可能
柔軟な配置 - 先端的な研究用途
柔軟なウェハー取り扱い能力 - 取り扱い能力－大気装入、単一ウェハー真空予備室、カセット交換方式のロボット操作

Magnetoresistive random access memory (MRAM)
Dielectric films
III-V photonics etching
Spintronics
Metal contact and track
Superconductors
Laser facet coating
High reflection (HR)
Anti-reflection (AR)
Ring laser gyroscope mirrors
X-ray optics
Infrared (IR) sensors
II-VI -based
Telecom filters

Ion Beam Deposition Modes

Ion beam sputter deposition (IBSD)
Ion assisted sputter deposition (IASD)
Reactive ion beam deposition (RIBD)

The Ionfab300 is available in standard or large chamber, tailored for both etch and deposition applications

Ionfab300 Standard Chamber

A compact ion beam etch and deposition system designed for flexible research and pilot production, equipped with up to two (15cm) ion sources for etch or deposition. This makes it ideal for deposition on up to 200mm wafer size and etch process optimised for up to 100mm wafer size.

Ionfab300 Large Chamber

Having essentially the same footprint but with a larger process chamber, it is designed to process wafers up to 200mm for both etch and deposition. Equipped with a 30cm etch ion source, the system provides excellent etch uniformity and superior process stability, making it a great choice for pilot and full scale production.