White Paper
パワーエレクトロニクス・アプリケーションに向けたノーマリーオフ・リセスゲートMISHEMT の実現

通信を中心としたデータ駆動型の世界では、効率的で信頼性が高く、コスト効率の高い電源や 増幅器に対する大きな需要が生まれています。窒化ガリウム (GaN) のようなワイドバンドギャップ材料は、従来のシリコンベースのパワーエレクトロニクスに比べて大きなメリットがあります。トランジスタ特性において、GaN は高い耐圧、高速スイッチング速度、低オン抵抗といった特性を示し、高電圧、高周波数デバイスの性能を、効率の向上とデバイス形状の小型化とともに実現させることができます。また、GaN デバイスは発熱が少なく、高温での動作が可能であるため、過酷な環境下で高性能を発揮するのに最適なものとなっています。

原子層エッチング (ALE) は、エッチングされた厚さを非常に細かく制御できる周期的なエッチングプロセスであり、通常、Å/サイクルのオーダーのエッチング速度で行われます。これは、残りの AlGaN の膜厚制御と、プロセス中の GaN/AlGaN 表面ダメージの抑制の両方が同様に重要である、リセスゲート MISHEMT のようなアプリケーションに有用な、高精度な深さ制御が可能です。

ALE と Etchpoint の複合ソリューションにより、これまで困難とされてきたデバイス形状の製造を可能にする、重要なプロセスと性能に関するメリットが実現します。

Author

Aileen O'Mahony
Atomic Scale Processing Product Manager, Oxford Instruments Plasma Technology