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誘導結合プラズマエッチング  ( ICP RIE )

ICP RIE エッチングは、高いエッチング速度、高い選択性、低ダメージの処理を実現するように設計された高度な技術です。 プラズマを低圧に維持できるため、優れたプロファイル制御も実現します。

Cobra® ICP プラズマソースは低圧で動作し、均一な高密度プラズマを生成します。基板のDCバイアスはRFジェネレーターにより独立に制御が行われ、プロセスの必要性に応じたイオンエネルギーをコントロールすることができます。


ICP エッチング概略図

主なメリット

  • -150°C ~ +400°C の独自の広い温度範囲の電極、多種多様な材料やデバイスに対応する幅広いプロセス ソリューション
  • 高イオン密度 (>1011 cm-3) と高ラジカル密度によって達成される高いエッチング速度
  • 優れたウェハ間均一性を実現するように設計されたソース
  • 低イオンエネルギーにより選択性とダメージを制御
  • 低圧処理での高密度の反応種による優れたプロファイル制御
  • セパレートタイプの基板DCバイアス制御によるイオンエネルギーの独立制御
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ハードウェア

PlasmaPro 80 PlasmaPro 100  PlasmaPro Polaris
電極サイズ 240mm
ローディング オープン ロードロックまたはカセット式 ロードロックまたはカセット式
ウェハサイズ 最大 50mm (2")* 最大 200mm 最大 200mm
MFC 制御ガスライン 8ラインまたは12ラインのガスボックスが利用可能 3~5のクローズガスライン (8~12外部オプション) 8ラインまたは12ラインのガスボックスが利用可能
ウェハテーブル温度範囲 -150 ~ 400ºC
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アプリケーション

  • LED、レーザー、パワーデバイス用の GaN エッチング
  • 平滑なエッチング表面の垂直インジウムリン (InP) 導波路
  • VCSEL向け平滑な側壁を実現する非選択性GaAs/AlGaAs
  • 優れたエッチング深さ制御による正確な VCSEL メサ エッチング
  • オプトエレクトロニクス用の高選択性 GaAs/AlGaAs
  • 導波路向け酸化物エッチング
  • 故障解析アプリケーションや除去:
    • 等方性ポリイミドおよび等方性窒化物(不動態化)
    • 異方性酸化物 (IMD/ILD)
    • Low-k 酸化物
    • Al や Cu
    • 裏面バルクシリコン

機能

  • セパレートタイプ RF ジェネレーターと ICP ジェネレーターにより、イオンエネルギーとイオン密度を個別に制御できるため、高いプロセスの柔軟性が可能
  • 化学エッチングおよびイオン誘起エッチング
  • 特定の低エッチング速度アプリケーションでは RIE モードでも実行可能
  • ICP-CVDモードでのデポジションに使用可能
  • 高コンダクタンスのポンピングポートにより高いガススループットを実現し、最速のエッチング速度を実現
  • 静電シールドにより容量結合が排除され、デバイスへの電気的ダメージが軽減され、チャンバー内のパーティクルが減少
  • ウェハクランプとHe冷却を標準装備し、幅広い温度範囲のオプションで優れた温度制御を実現

ICP Etching of a InP with smooth sidewalls and clean surface

平滑な側壁とパーティクルの非常に少ないエッチング表面の InP の ICP エッチング

ICP Etching of SiO2 waveguide using a Cr mask

Cr マスクを用いた SiO2 導波路の ICP エッチング

ICP エッチングシステム

PlasmaPro 80 ICP
PlasmaPro 100 Cobra ICP
PlasmaPro 100 Polaris ICP

PlasmaPro 80

  • 優れたウェハ温度均一性
  • 最大200mmのウェハに対応
  • 最適化された電極冷却

PlasmaPro 100 Cobra

  • 高密度の反応種
  • 広い温度範囲の電極、-150°C ~ 400°C
  • 幅広い市場に適用

PlasmaPro 100 Polaris

  • 優れたエッチング結果による高スループット
  • 高密度プラズマエッチングソース
  • 強化されたイオン制御と均一性
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PlasmaPro 100 カタログダウンロード
Polaris カタログダウンロード

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