オックスフォード・インストゥルメンツツの一部
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誘導結合プラズマエッチング (ICP)

ICPエッチングは、広く使われている技術であり、高エッチング速度、高選択性、低損傷の処理方法です。プラズマを低圧で維持できるので、優れた形状制御も可能です。Cobra® ICP エッチング源は、低圧において高密度の反応種を供給できます。基板DCバイアスは、RF発生器により独立に制御できますので、プロセスの必要性に応じて、イオンのエネルギーを制御することができます。

ICP Etching Diagram

ハイライト

  • 高エッチング速度
  • 高い均質性
  • 低圧でも高密度の反応種
  • 優れた基板DCバイアス制御性
  • 優れたイオンエネルギー制御性
  • -150℃から+400℃までの広い電極温度範囲
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  • 高イオン密度(>1011/cm3)および高ラジカル密度により、高エッチング速度実現
  • 低イオンエネルギーのため、選択性と損傷に関する制御が可能
  • RF発生器とICP発生器が分離しているので、イオンエネルギーとイオン密度が独立して制御でき、高い柔軟性を持つプロセスが実現
  • 高密度であるが低圧処理なので、形状制御性が向上
  • イオン誘導された化学エッチング
  • 一定の低エッチング速度の用途には、RIEモードでの動作可能
  • ICP-CVDモードでのデポジションにも使用可能
  • 高流量ポンプのポートがあり、ガス注入量を高くして、より高速のエッチングが可能
  • 容量カップリングを防止する静電遮蔽があり、デバイスに対する電気的損傷とチェンバーからの汚染を抑制
  • Heによる冷却およびウェハークランプが標準装備され、優れた温度制御が可能であるとともに、広い温度範囲もオプションとして可能

PlasmaPro 80
PlasmaPro 100 PlasmaPro Estrelas PlasmaPro Polaris
Electrode size 240mm
Loading Open load
Load lock or Cassette
Wafer size Up to 50mm (2")* Up to 200mm
MFC controlled gas lines 8 or 12 line gas box available 3-5 close coupled gas lines with options for 8-12 external 8 or 12 line gas box available
Wafer stage temperature range -150 to 400ºC
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ICP Etching Systems