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ICPエッチングは、広く使われている技術であり、高エッチング速度、高選択性、低損傷の処理方法です。プラズマを低圧で維持できるので、優れた形状制御も可能です。Cobra® ICP エッチング源は、低圧において高密度の反応種を供給できます。基板DCバイアスは、RF発生器により独立に制御できますので、プロセスの必要性に応じて、イオンのエネルギーを制御することができます。
| PlasmaPro 80 |
PlasmaPro 100 | PlasmaPro Estrelas | PlasmaPro Polaris | |
| Electrode size | 240mm | |||
| Loading | Open load |
Load lock or Cassette | ||
| Wafer size | Up to 50mm (2")* | Up to 200mm | ||
| MFC controlled gas lines | 8 or 12 line gas box available | 3-5 close coupled gas lines with options for 8-12 external | 8 or 12 line gas box available | |
| Wafer stage temperature range | -150 to 400ºC | |||
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