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PlasmaPro 100 Cobra

The PlasmaPro 100 シリーズのエッチングおよびデポジションのツールは、多様な基板電極に適応でき、広範囲の温度に渡るプロセスが可能です。200 mmサイズのプラットフォームにより、単一ウェハーおよび複数ウェハーのバッチ処理ができます。このプロセスモジュールは、優れた均質性および高スループット高精度のプロセスを実現します。

  • 広い電極温度範囲:-150℃~400℃

  • 最大200mmサイズまでの、全てのウェハーが適合可能

  • ウェハーサイズの迅速な交換が可能

  • 所有コストが低く、保守が簡単

  • 専有面積がコンパクトで、柔軟性のあるレイアウト

  • その場チェンバー洗浄および終端決定が可能


お問い合わせ

このツールは、多くの実績を持ち、90%以上の稼働率で、ウェハー装入時の迅速な立ち上がりが確実に保証されたプロセスが実現します。PlasmaPro 100シリーズは、MEMSやセンサー、光電子工学、個別素子、ナノ技術を含む、多くの市場分野に適用でき、それ以外にも対応できます。研究開発に活用できる柔軟性を持つとともに、製造ニーズにも対応できる構造も備えています。

Oxford Instruments’ PlasmaPro 100 process modules offer a 200mm platform with single wafer and multi-wafer batch capability. The process modules offer excellent uniformity, high throughput and high precision processes.

Delivers reactive species to the substrate, with a uniform high conductance path through the chamber - Allows a high gas flow to be used while maintaining low pressure

Variable height electrode - Utilises the 3-dimensional characteristics of the plasma and accommodate substrates up to 10mm thick at optimum height

Wide temperature range electrode (-150°C to +400°C) which can be cooled by liquid nitrogen, a fluid re-circulating chiller or resistively heated - An optional blow out and fluid exchange unit can automate the process of switching modes

A fluid controlled electrode fed by a re-circulating chiller unit - Excellent substrate temperature control

RF powered showerhead with optimised gas delivery - Provides uniform plasma processing with LF/RF switching allowing precise control of film stress

ICP source sizes of 65mm, 180mm, 300mm - Delivers process uniformity up to 200mm wafers

High pumping capacity - Gives wide process pressure window

Wafer clamping with He backside cooling - Optimum wafer temperature control

  • III-V etch processes
  • Solid State Lasers InP etch
  • VCSEL GaAs/AlGaAs etch
  • RF device low damage GaN etch
  • Silicon Bosch and cryo-etch processes
  • Diamond Like Carbon (DLC) deposition
  • SiO2 and quartz etch
  • Failure analysis dry etch de-processing using the specially-configured PlasmaPro FA tools ranging from packaged chip and die etch through to full 200mm wafer etch
  • High quality PECVD of silicon nitride and silicon dioxide for photonics, dielectric layers, passivation and many other uses
  • Hard mask deposition and etch for high brightness LED production
PlasmaPro 100のカタログをダウンロードする場合は、こちら

グローバルな、お客様サポート

オックスフォード・インストゥルメンツは、総括的で柔軟な信頼できる、グローバルなお客様サポートをお約束しています。お客様のシステムが稼働している期間、高品質のサービスを提供します。

  • 遠隔診断ソフトウェアにより、迅速で簡便な欠陥診断と問題解決を実現します。
  • ご予算と状況に合わせた、サポート契約も用意しております。
  • 迅速な対応のため、戦略的場所にグローバルに予備品を揃えています。
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オプション

他の PlasmaPro 100 シリーズには、次のが含まれます:

PlasmaPro 100 RIE

  • RIEモジュールは、広範なプロセスに対して異方性ドライエッチングを実現します。

PlasmaPro 100 ICPCVD

  • ICP CVDプロセスモジュールは、低いデポジション圧力と低い温度における高密度プラズマにより、常温から400℃までの高品質薄膜を製造するように設計されています。

PlasmaPro 100 PECVD

  • PECVDプロセスモジュールは、特に、優れた均質性と高速度の成膜を実現するように設計されており、屈折率や応力、電気的特性、湿式化学エッチング速度のような、薄膜特性を制御できるようになっています。

アップグレード・アクセサリー

ガスポッド - 追加のガスラインを組み込み、柔軟性を高めることが可能

Logviewer ソフトウェア - データログのソフトウェアであり、リアルタイムでグラフ化するとともに、処理後の解析も可能

光学エンドポイント検出器 - 最適なプロセス実績を達成するために重要なツール

ソフトポンプ - 真空チェンバーのポンプ速度を低減することが可能

ターボ分子真空ポンプ - 優れた排気速度と、高いスループットを提供

X20 コントロールシステム - システムのインテリジェンスを高め、将来の互換性が確保できる、柔軟で信頼性の高いツール

Paramount先進エネルギー発生器 - 信頼性を向上し、プラズマの安定性を増大

自動圧力制御 - 非常に高速で正確な圧力制御が可能

デュアルCMゲージ・スイッチング - 2つのレンジの異なる容量型圧力計を活用し、単一の圧力バルブの制御が可能

液体窒素自動切り替えユニット - 液体窒素(LN2)とチラー冷媒の間で、テーブル冷媒を自動的に切り替えることが可能

TEOS 液体レベルセンサー - TEOS容器に適合した、超音波レベルセンサー

広温度範囲電極 - 設計を著しく改善し、プロセス性能を向上

その他アプリケーション

量子情報処理

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