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化学気相堆積 (CVD)

CVD は様々な組成や単原子層レベルまでの膜厚の薄膜を形成する技術の一つで、一般的によく知られたデポジション方法です。


概要

  • 1200℃まで加熱可能な電極上に、基板を直接設置
  • 上部電極にあるガス注入シャワーヘッドを使用して、プロセスチャンバー内へガスを注入
  • 2D 材料の MOCVD や ZnO ナノワイヤーの CVD など、革新的なプロセスを実現する、固体/液体原料プリカーサー供給システム
  • サンプルを加熱テーブルに直接自動移送できるロードロックにより、加熱または冷却時間を節約
  • 低温デポジション、プラズマアシスト改質または官能基化、チャンバー内クリーニングを実現するプラズマ励起オプション
  • 同一チャンバー内ににおいて、様々なプロセスが可能
  • PlasmaPro® 100 Nano は、ナノ構造材料およびシリコンベースの薄膜の高品質デポジション用にチューニングされた高温 CVD/PECVD システムです。
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  • 最高1200℃までのテーブル加熱
  • ダイレクトまたはリモートプラズマ励起オプション
  • 5 Torrまでの動作圧力(さらに高圧も可能)
  • 物理的や化学的なチャンバー内クリーニングを不要または低減する、エンドポイント制御ドライプラズマクリーニングプロセス
  • 12個のガス供給ラインに加え、加熱・冷却可能な複数の固体・液体原料プリカーサー供給システム
  • 下記を含めた、様々な材料のデポジションが可能:
    • SiベースのPECVD/ICP CVDプロセス、および同一チャンバー内での高温CVDプロセス
    • カーボンナノチューブや ZnO ナノワイヤー、Si ナノワイヤーのような 1D 材料の成膜
    • グラフェンやhBN、MoS2/WS2 、他の遷移金属のダイカルコゲナイド(TMDC)のような、2D材料の成膜
Image of CVD process in operation, remote plasma
Nanofab
700°C テーブル 800°C テーブル 1200°C テーブル
薄膜プロセス SiOx, SiNx, aSiC, aSi, μc-Si, polySi* SiOx, SiNx, aSiC, aSi, μc-Si, polySi SiOx, SiNx, aSiC, aSi, μc-Si, polySi
1D ナノ材料 MWNTs, Si, Ge NWs, ZnO NWs MWNTs, SWNTs, Si, Ge, ZnO NWs MWNTs, SWNTs, Si, Ge, ZnO NWs
2D ナノ材料 NA NCG, 垂直配向グラフェン NCG, 垂直配向グラフェン, BN, MoS<sub>2</sub> CVD グラフェン
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