化学気相堆積 (CVD)

概要

• 1200℃まで加熱可能な電極上に、基板を直接設置
• 上部電極にあるガス注入シャワーヘッドを使用して、プロセスチャンバー内へガスを注入
• 2D 材料の MOCVD や ZnO ナノワイヤーの CVD など、革新的なプロセスを実現する、固体/液体原料プリカーサー供給システム
• サンプルを加熱テーブルに直接自動移送できるロードロックにより、加熱または冷却時間を節約
• 低温デポジション、プラズマアシスト改質または官能基化、チャンバー内クリーニングを実現するプラズマ励起オプション
• 同一チャンバー内ににおいて、様々なプロセスが可能
• PlasmaPro® 100 Nano は、ナノ構造材料およびシリコンベースの薄膜の高品質デポジション用にチューニングされた高温 CVD/PECVD システムです。