オックスフォード・インストゥルメンツツの一部
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化学気相堆積 (CVD)

CVD は、様々な組成および単原子層までの多様な厚さで、広範な薄膜を成膜するための確立されたデポジション手法です。

ハイライト

  • 基板は1200℃まで加熱可能な電極上に直接配置
  • 上部電極にあるガス注入シャワーヘッドを通じた、プロセスチェンバー内へのガス注入
  • 2D材料MOCVDやZnOナノワイヤーCVDなどの、革新的なプロセスに対する、固体/液体原料プリカーサーの供給システム
  • サンプルをホットテーブルに直接自動移送できる真空予備室により、加熱冷却時間を節約
  • 低温デポジションに対するプラズマ励起オプション、プラズマ支援変換または官能基化、更にチェンバー洗浄
  • 同一チェンバー内における、広範なプロセスが可能
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  • 最高1200℃までのテーブル温度
  • ダイレクトまたはリモートプラズマ励起オプション
  • 5 torrまでの動作圧力(より高圧も可能)
  • 物理的/化学的なチェンバー洗浄の必要性を排除または低減する、エンドポイント制御が可能なドライプラズマ洗浄プロセス
  • 12個のガス供給ラインに加えて、加熱・冷却可能な、多数の固体・液体原料プリカーサーの供給システム
  • 下記を含めた、広範な材料のデポジションが可能:
    • SiベースのPECVD/ICP CVDプロセス、および同一チェンバー内での高温CVDプロセス
    • カーボンナノチューブやZnOナノワイヤー、Siナノワイヤーのような、1D材料の成膜
    • グラフェンやhBN、MoS2/WS2 、他の遷移金属のジカルコゲナイド(TMDC)のような、2D材料の成膜
Nanofab
700°C table 800°C table 1200°C table
Thin Film Process SiOx, SiNx, aSiC, aSi, μc-Si, polySi* SiOx, SiNx, aSiC, aSi, μc-Si, polySi SiOx, SiNx, aSiC, aSi, μc-Si, polySi
1D Nano materials MWNTs, Si, Ge NWs, ZnO NWs MWNTs, SWNTs, Si, Ge, ZnO NWs MWNTs, SWNTs, Si, Ge, ZnO NWs
2D Nano materials NA NCG, Vertical Graphene NCG, Vertical Graphene, BN, MoS<sub>2</sub> CVD Graphene
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CVD Systems