膜厚が単原子サイズまで限界的に減少した薄膜の極限に、2次元（2D）材料があります。このような材料は、これまでに無い優れた電子および光電子特性を示し、今日、次世代デバイスに展開しようと、多くの研究が成されています。

オックスフォード・インストゥルメンツは、このような多くの技術革新を可能にするソリューションを提供しており、その中でプラズマエッチングおよびデポジションは、半導体デバイスを製造する上で欠くことのできない要になっています。プラズマCVDとALDを用いて作成された、グラフェンやMoS₂のような、画期的な新しい2D材料は、性能限界を超えるデバイスを実現することができます。

オックスフォード・インストゥルメンツは、以下のような製造課題に対応できるプロセスと装置を提供します。

• 化学気相堆積法による、グラフェンや関連材料の成膜／デポジション：熱的およびプラズマ励起による(CVD、PECVD、ICPCVD)
• グラフェンを超える2D材料のAtomic Layer Deposition
• 例えばMoS₂のAtomic Layer Etching (ALE)
• チャネル／メサ／ナノ構造デバイスを作成するReactive Ion Etching (RIE/ ICP RIE)