大量生産または研究開発用として設計されたシステムにより、お客様のラボや工場に適したハードウェアおよびプロセスソリューションを提供します。当社のプラズマプロセス技術は、エッチング、デポジション、材料成長のための幅広い先進的な機能を有しています。8,000 以上のレシピを備え、お客様のニーズに合わせたプロセス開発とサポートを行ないます。そして、高いウェハー収率と高速かつ高性能なプロセスにより、適正な所有コストを達成することが可能となります。
先端マイクロエレクトロニクスの製造に欠かせないプラズマプロセス。当社のプラズマプロセスにより、期待されるデバイス特性を確実に実現する信頼性を得ることができます。当社のプラズマエッチング装置、プラズマデポジション装置により、以下のことが実現されます。
絶縁体や金属に対応する プラズマ RIE エッチング
誘導結合プラズマCVD
多くの先端デバイスにおいて原子レベルの精度が要求される中、当社では原子層エッチング・デポジションという高度な加工技術を提供し、高い精度を実現しています。材料を精密に操作・制御することにより、次世代半導体デバイスの研究開発・生産が可能になります。
ALDにより作製された絶縁体・金属膜
ALEにより作製された シリコントレンチ (25 nm 幅、深さ 110 nm)
オックスフォード・インストゥルメンツ・プラズマテクノロジーは、プラズマプロセス・ソリューションで世界をリードしており、プラズマ処理における最新の技術革新を実現してきた長い歴史を持っております。お客様のニーズを良く理解することを通じて、常に、お客様のデバイスを最大限に発展させるのに必要なソリューションを提供しています。堅牢な製造ハードウェアも含めて、LabからFabへの道程を、お客様とともに進んで参ります。
プラズマエッチングについては、RIE、ICP RIE、IBE、ALEによって、またプラズマデポジションについては、PECVD、ICP CVD、CVD、IBD、ALDによって、世界最先端のソリューションを提供します。
当社のプラズマプロセス技術についてのご質問がある場合、または技術全般について詳細な情報が必要な場合は、どうぞご遠慮なく当社専門スタッフにご連絡下さい。