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Introduction

当社のプラズマ技術

プラズマプロセスに関する独自の専門知識

大量生産または研究開発用として設計されたシステムにより、お客様のラボや工場に適したハードウェアおよびプロセスソリューションを提供します。当社のプラズマプロセス技術は、エッチング、デポジション、材料成長のための幅広い先進的な機能を有しています。8,000 以上のレシピを備え、お客様のニーズに合わせたプロセス開発とサポートを行ないます。そして、高いウェハー収率と高速かつ高性能なプロセスにより、適正な所有コストを達成することが可能となります。

当社からのご提案:

  • プラズマ エッチング & デポジション
  • イオンビーム エッチング & デポジション
  • 原子層エッチング & デポジション
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プラズマ エッチング & デポジション

先端マイクロエレクトロニクスの製造に欠かせないプラズマプロセス。当社のプラズマプロセスにより、期待されるデバイス特性を確実に実現する信頼性を得ることができます。当社のプラズマエッチング装置、プラズマデポジション装置により、以下のことが実現されます。

  • 多種多様な膜のエッチングとデポジションを実現
  • 低ダメージ、高精度な深さ・厚み制御
  • 広い温度範囲でのプロセス

プラズマエッチング

  • 反応性イオンエッチング (RIE)
  • 反応性イオンエッチング – プラズマ励起 (RIE-PE)
  • 誘導結合プラズマエッチング (ICP RIE)
  • シリコン深堀エッチング (DSiE)

プラズマデポジション

  • プラズマ励起化学気相堆積 (PECVD)
  • 誘導結合プラズマCVD (ICPCVD)
  • 化学気相堆積 (CVD)
絶縁体や金属に対応する プラズマ RIE エッチング

絶縁体や金属に対応する プラズマ RIE エッチング

誘導結合プラズマCVD

誘導結合プラズマCVD

イオンビーム エッチング & デポジション

イオンビームエッチング (IBE)とイオンビームデポジション (IBD)では、その高い均一性により膜質とエッチングの制御が可能になります。MRAM、レーザーバーファセット、薄膜磁気ヘッドなど、幅広いアプリケーションに最適なプロセス装置です。イオンビーム技術により、研究者や量産メーカーは、表面が滑らかな高密度・高品質の膜を製造することができます。

イオンビームエッチング

イオンビームエッチング

原子層エッチング & デポジション

多くの先端デバイスにおいて原子レベルの精度が要求される中、当社では原子層エッチング・デポジションという高度な加工技術を提供し、高い精度を実現しています。材料を精密に操作・制御することにより、次世代半導体デバイスの研究開発・生産が可能になります。

原子スケールエッチング (ALE)

この技術は、1 原子層ごとに正確に除去できるように設計されており、従来のエッチングでは達成できなかった制御が可能です。

原子スケールデポジション (ALD)

この技術は、1 回のプロセスで1原子層の成膜が可能です。また自己制限的技術で、高アスペクト比構造へのコンフォーマルコーティングが可能なため、高度なアプリケーション用の精密な成膜制御が実現できます。

ALDにより作製された低ダメージ絶縁体・金属膜

ALDにより作製された絶縁体・金属膜

ALEにより作製された シリコントレンチ (25 nm 幅、深さ 110 nm)

ALEにより作製された シリコントレンチ (25 nm 幅、深さ 110 nm)

プラズマおよびイオンビームによる
エッチングとデポジション技術

オックスフォード・インストゥルメンツ・プラズマテクノロジーは、プラズマプロセス・ソリューションで世界をリードしており、プラズマ処理における最新の技術革新を実現してきた長い歴史を持っております。お客様のニーズを良く理解することを通じて、常に、お客様のデバイスを最大限に発展させるのに必要なソリューションを提供しています。堅牢な製造ハードウェアも含めて、LabからFabへの道程を、お客様とともに進んで参ります。

プラズマエッチングについては、RIE、ICP RIE、IBE、ALEによって、またプラズマデポジションについては、PECVD、ICP CVD、CVD、IBD、ALDによって、世界最先端のソリューションを提供します。

ご不明な点がございましたら、どうぞお問い合わせください

当社のプラズマプロセス技術についてのご質問がある場合、または技術全般について詳細な情報が必要な場合は、どうぞご遠慮なく当社専門スタッフにご連絡下さい。

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