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2次元材料は、原子1個分の厚さまで薄膜化できる極限の材料と言えます。これらの材料は、今日、研究者たちがエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、エネルギー応用のための次世代デバイスに活用しようとしている、非常に優れたエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクス特性を持っています。
グラフェンがこうした超薄膜材料の探求と応用のきっかけとなった一方で、窒化物（hBN）や遷移金属ダイカルコゲナイド（MoS2、WSe2など）といった他の2次元材料の探求や 応用という大きな分野を創出しました。これらの材料は自然界に存在し、バルク結晶から剥離することができる一方で、将来のデバイスのためのスケールアップを容易にするために、CVD法が用いられています。
カタログダウンロード2次元材料は、現在、多くの研究者がエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、フレキシブルデバイスといった次世代デバイスに活用する、非常に優れたエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクスの特性を示しています。
2次元材料のさまざまな側面は、アプリケーションにとってメリットがあり、アプリケーションによっては、高速移動度トランジスタ用のシングルレイヤーや、水分解のような触媒アプリケーション用の多方向マルチレイヤーを目標にすることも考えられます。
グラフェン、MoS2、hBNなどの2次元材料は、現在のデバイスを向上させ、新しいデバイス・アーキテクチャを構築することに使用できる可能性があります。ユニークな特性を持つFETや バッテリー、フィルターなどが実現できると考えられています。
オックスフォード・インストゥルメンツのプラズマテクノロジーでは、高温CVDから低温ALDまで、幅広いプロセスにおいて豊富な実績があります。
CVD (化学気相成長) プロセスにより得られるグラフェンに対して有効な仕様となっています。
データ通信向けグラフェン EO モジュレーター
CVD により作製される窒化ホウ素について適用されます。プロセス実証のためホウ素源として B2H6 、窒素源として NH3 を使用し、触媒基板として Cu/Ni 箔を用います。
当社では、 MoS2や WS2 などの2次元層成長向けプリカーサーベーパー供給モジュールを備えたPECVDシステムを提供しています。
欠陥が少なく、強いフォトルミネッセンスを持つ優れた膜厚制御
高品質 MoS2：
プラズマ励起CVD法による絶縁体基板上へのナノ結晶性グラフェンの直接成長
2次元 MoS2 (二硫化モリブデン) グラフェンヘテロ構造のその場成長
当社では、グラフェン、MoS2、WS2などの材料の2次元層やヘテロ構造の成長用に、プリカーサーベーパー供給モジュールを備えたCVD/PECVD/リモートプラズマ(ICP) CVDシステムを提供しています。
3ステップ プロセス：
お問い合わせ
お問い合わせ2次元材料への原子層堆積法については、特に、当社の FlexAL システムを構成に組み込むことによりMoS2などの2次元遷移金属ダイカルコゲナイドを成長させることができます。FlexAL は硫化物用金属酸化物シード層の成長、high-k誘電体のデポジション、表面前処理、2次元材料のカプセル化に最適です。
FlexALについての詳細はこちら。
グラフェン以外の2次元材料に FlexAL ALDシステム
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