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原子スケール処理

原子スケール処理とは、原子スケールの制御によりウェハースケールの処理を行うことです。この原子レベルの制御は、薄膜のデポジション、表面層の除去またはエッチング、そしてグラフェンのような特別な独特な特性を持つ、1Dおよび2D材料の成長にも拡大しています。

当社のプラズマ処理システムのラインナップは、原子スケール処理のソリューションの全てを実現します。特別なクラスター・システムとして、またはスタンドアローン・システムとして、生産規模において原子スケール精度で物質を創出していくことができます。

原子スケールで技術革新を推進

  • 原子レベルの薄い構造について、1Dおよび2D 材料の成長 - 化学気相堆積 (CVD) & ALD
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誘電体のALD

誘電体、窒化物、金属について、原子層堆積は低損傷となります。当社の特別なクラスター・システムは、大気への露出なしに、表面を直接被覆する能力を実現します。例として、ALDによる誘電体またはキャッピング層で被覆されたMoS2またはグラフェンのような、エッチング界面または新たに成長した2D材料があり、広範なデバイスの大きなメリットになっています。

Atomic layer deposition of dielectrics & metals with low damage

誘電体、金属について、低損傷の原子層堆積

1D & 2D materials growth

Chemical Vapour Deposition & ALD of atomically thin structures: 1D & 2D materials.

Unique devices can be constructed by covering nanowires with ALD films or etching 1D and 2D materials to tune their properties.

CVD growth of ZnO nanowires using DEZn precursors

CVD growth of ZnO nanowires using DEZn precursors.
(Courtesy of Nanoscience Centre, Univ. of Cambridge)

CVD growth of hBN

CVD growth of hBN

Atomic Layer Etch

Atomic layer etching of Silicon, GaN & 2D materials. As these materials perform essential functions in a wide range of devices, our ability to etch these with extreme control and low damage can be an enabling technology. Furthermore combining ALE with deposition and growth will provide unique advantages in your device making.

25nm wide Si trenches etched to 110nm depth by ALE, HSQ mask still in place

25nm wide Si trenches etched to 110nm depth by ALE, HSQ mask still in place

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Atomic Scale Processing Systems