ワイドバンドギャップ(WBG)デバイスは、市場にある様々なデバイス技術の中でも独自の優れたRF性能を実現できます。基地局は、大量のデータ伝送を行える、高出力で高速なスイッチングデバイスを必要とします。また、人口増加に伴う電力需要の増大に対して、今後はエネルギー生成、分散、回収のための新たな手法が不可欠です。GaN HEMTをはじめとする半導体技術が、電気自動車などのグリーン技術や、基地局間通信などの通信用途におけるエネルギー消費効率の改善に使われています。
オックスフォード・インストゥルメンツは、化合物半導体を使ったRFデバイスの製造に適した広範な処理装置を用意しています。
Atomfab により、GaN パワーデバイスや RF デバイス向けに、迅速かつ低ダメージ、さらに低所有コストの生産向けプラズマ ALD が実現します。当社の最新技術が搭載された ALD 装置です。
このビデオを見るためにはJavaScriptを有効にしてください。そしてHTML5ビデオをサポートするウェブブラウザへのアップグレードを検討してください。
This is a modal window.
Beginning of dialog window. Escape will cancel and close the window.
End of dialog window.